MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 120 V, ID 35 A, Mejora, PG-TO-252 de 3 pines

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Código RS:
258-3839
Nº ref. fabric.:
IPD35N12S3L24ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

35A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

120V

Serie

IPD

Encapsulado

PG-TO-252

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

24mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

30nC

Disipación de potencia máxima Pd

71W

Tensión directa Vf

1V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

El transistor de potencia OptiMOS-T de Infineon es un MOSFET de potencia para aplicaciones de automoción. Tiene una temperatura de funcionamiento de 175 °C.

Canal N - Modo de mejora

Certificación AEC Q101 de automoción

MSL1 hasta 260 °C de reflujo de pico

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