MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS -40 V, ID -90 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
258-3870
Nº ref. fabric.:
IPD90P04P4L04ATMA2
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

-90A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

-40V

Encapsulado

TO-252

Serie

IPD

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

4.2mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

5 V

Tensión directa Vf

-1V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

135nC

Disipación de potencia máxima Pd

125W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

DIN IEC 68-1, RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

El transistor de potencia OptiMOS-P2 de Infineon presenta las pérdidas de potencia de conmutación y conducción más bajas para la máxima eficiencia térmica y encapsulados robustos con calidad y fiabilidad superiores.

Canal P - Nivel lógico - Modo de mejora

Certificación AEC

Circuito de controlador de interfaz sencilla

RDSon más bajo del mundo a 40 V

Capacidad de corriente más alta

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