MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IPD90P04P4L04ATMA2, VDSS -40 V, ID -90 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 258-3871
- Nº ref. fabric.:
- IPD90P04P4L04ATMA2
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 paquete de 2 unidades)*
4,70 €
(exc. IVA)
5,68 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Disponible
- Disponible(s) 9374 unidad(es) más para enviar a partir del 22 de enero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 2,35 € | 4,70 € |
| 20 - 48 | 2,045 € | 4,09 € |
| 50 - 98 | 1,925 € | 3,85 € |
| 100 - 198 | 1,79 € | 3,58 € |
| 200 + | 1,645 € | 3,29 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 258-3871
- Nº ref. fabric.:
- IPD90P04P4L04ATMA2
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | -90A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | -40V | |
| Serie | IPD | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 4.2mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | -1V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 135nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 125W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 5 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | DIN IEC 68-1, RoHS | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld -90A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds -40V | ||
Serie IPD | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 4.2mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf -1V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 135nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 125W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 5 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares DIN IEC 68-1, RoHS | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El transistor de potencia OptiMOS-P2 de Infineon presenta las pérdidas de potencia de conmutación y conducción más bajas para la máxima eficiencia térmica y encapsulados robustos con calidad y fiabilidad superiores.
Canal P - Nivel lógico - Modo de mejora
Certificación AEC
Circuito de controlador de interfaz sencilla
RDSon más bajo del mundo a 40 V
Capacidad de corriente más alta
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS -40 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS -40 V Mejora, TO-252
- MOSFET VDSS -40 V Mejora, TO-252
- MOSFET VDSS -30 V Mejora, PG-TO-252
- MOSFET VDSS -30 V Mejora, PG-TO-252
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, TO-252 de 3 pines