MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS -40 V, ID -50 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
258-3843
Nº ref. fabric.:
IPD50P04P4L11ATMA2
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

-50A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

-40V

Encapsulado

TO-252

Serie

IPD

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

10.6mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

-1V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

58W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

45nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

DIN IEC 68-1, RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

El transistor de potencia OptiMOS-P2 de Infineon presenta las pérdidas de potencia de conmutación y conducción más bajas para la máxima eficiencia térmica. Encapsulados robustos con calidad y fiabilidad superiores.

No se necesita bomba de carga para accionamiento de lado alto

Circuito de controlador de interfaz sencilla

Capacidad de corriente más alta

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