MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IPD50P04P4L11ATMA2, VDSS -40 V, ID -50 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 258-3845
- Nº ref. fabric.:
- IPD50P04P4L11ATMA2
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 1,63 € | 3,26 € |
| 20 - 48 | 1,465 € | 2,93 € |
| 50 - 98 | 1,385 € | 2,77 € |
| 100 - 198 | 1,29 € | 2,58 € |
| 200 + | 1,195 € | 2,39 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 258-3845
- Nº ref. fabric.:
- IPD50P04P4L11ATMA2
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | -50A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | -40V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Serie | IPD | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 10.6mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 5V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | -1V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 45nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 58W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | DIN IEC 68-1, RoHS | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld -50A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds -40V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Serie IPD | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 10.6mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 5V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf -1V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 45nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 58W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares DIN IEC 68-1, RoHS | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El transistor de potencia OptiMOS-P2 de Infineon presenta las pérdidas de potencia de conmutación y conducción más bajas para la máxima eficiencia térmica. Encapsulados robustos con calidad y fiabilidad superiores.
No se necesita bomba de carga para accionamiento de lado alto
Circuito de controlador de interfaz sencilla
Capacidad de corriente más alta
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