MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 13 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
215-2600
Nº ref. fabric.:
IRFR5410TRLPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

13A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

TO-252

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

205mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

66W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

-1.6V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

58nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El HEXFET Infineon de quinta generación de International Rectifier utiliza Advanced Processing Techniques para lograr una resistencia de conexión extremadamente baja para el área de silicio. Estas ventajas, combinadas con la velocidad de conmutación rápida y el diseño de dispositivo robusto por los que se conoce el MOSFET de potencia HEXFET, proporcionan un dispositivo de nivel suficiente para, proporcionan a los diseñadores un dispositivo muy eficiente y fiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones. El paquete D está diseñado para montaje en superficie con técnicas de fase de vapor, infrarrojos o soldadura por ola.

Tecnología de procesos avanzados

Resistencia de encendido ultrabaja

Sin plomo

Valor nominal de avalancha total

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