MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 13 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
168-7941
Nº ref. fabric.:
IRFR5410TRPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

13A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

TO-252

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

205mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

-1.6V

Disipación de potencia máxima Pd

66W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

58nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

6.73mm

Anchura

6.22 mm

Altura

2.39mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

MOSFET de potencia de canal P, de 100V a 150V, Infineon


La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal P de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

Transistores MOSFET, Infineon


Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

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