MOSFET Infineon IPD85P04P4L06ATMA2, VDSS 40 V, ID 85 A, DPAK (TO-252) de 3 pines

Código RS:: 229-1834
Nº ref. fabric.:: IPD85P04P4L06ATMA2
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IPD85P04P4L06ATMA2, VDSS 40 V, ID 85 A, DPAK (TO-252) de 3 pines

4990 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en Carretes de 2500)

0,742 €

(exc. IVA)

0,898 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Carrete*
2500 +	0,742 €	1.855,00 €

*precio indicativo

Código RS:: 229-1834
Nº ref. fabric.:: IPD85P04P4L06ATMA2
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica

Datasheet - IPD85P04P4L06ATMA2

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

El MOSFET de potencia de nivel lógico de canal N Infineon se utiliza para aplicaciones de automoción. Tiene las pérdidas de potencia de conducción y conmutación más bajas para la máxima eficiencia térmica. Se trata de encapsulados robustos con una calidad y fiabilidad superiores.

Cumple con RoHS y cuenta con certificación AEC
Tiene una temperatura de funcionamiento de 175 °C.

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	P
Corriente Máxima Continua de Drenaje	85 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	40 V
Tipo de Encapsulado	DPAK (TO-252)
Serie	OptiMOS™ -T2
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	0,0064 Ω
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	2.2V
Número de Elementos por Chip	1
Material del transistor	Silicio

MOSFET Infineon IPD85P04P4L06ATMA2, VDSS 40 V, ID 85 A, DPAK (TO-252) de 3 pines

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