MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 85 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 229-1834
- Nº ref. fabric.:
- IPD85P04P4L06ATMA2
- Fabricante:
- Infineon
Subtotal (1 bobina de 2500 unidades)*
1.165,00 €
(exc. IVA)
1.410,00 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Agotado temporalmente
- Disponible(s) 2500 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,466 € | 1.165,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 229-1834
- Nº ref. fabric.:
- IPD85P04P4L06ATMA2
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 85A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Serie | IPD | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 6.4mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | -1.3V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 5 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 80nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 88W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 6.22 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 2.3mm | |
| Longitud | 6.5mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 85A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Serie IPD | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 6.4mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf -1.3V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 5 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 80nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 88W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 6.22 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 2.3mm | ||
Longitud 6.5mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET de potencia de nivel lógico de canal N Infineon se utiliza para aplicaciones de automoción. Tiene las pérdidas de potencia de conducción y conmutación más bajas para la máxima eficiencia térmica. Se trata de encapsulados robustos con una calidad y fiabilidad superiores.
Cumple con RoHS y cuenta con certificación AEC
Tiene una temperatura de funcionamiento de 175 °C.