MOSFET Infineon SPD09P06PLGBTMA1, VDSS 60 V, ID 9,7 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 165-5947
Nº ref. fabric.:: SPD09P06PLGBTMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon SPD09P06PLGBTMA1, VDSS 60 V, ID 9,7 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

Temporalmente fuera de stock. Disponible a partir del 07/05/2025, con entrega en 4 día(s) laborable(s).

Añadido

Precio unitario (Suministrado en Carretes de 2500)

0,368 €

(exc. IVA)

0,445 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Carrete*
2500 +	0,368 €	920,00 €
*precio indicativo

Código RS:: 165-5947
Nº ref. fabric.:: SPD09P06PLGBTMA1
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Estado RoHS: No aplica

COO (País de Origen):: CN

Datos del Producto

MOSFET de canal P Infineon SIPMOS®

Los MOSFET pequeños de canal P de señales Infineon SIPMOS^® tienen varias características como modo de mejora, corriente de consumo continua, algunos tan baja como -80 A, y un amplio rango de temperaturas de funcionamiento. El transistor de potencia SIPMOS se puede usar en muchas aplicaciones, como telecomunicaciones, eMobility, ordenadores portátiles, dispositivos dc/dc e industria del automóvil.

· Certificación AEC Q101 (consulte la hoja de datos)
· chapado de plomo sin plomo, conforme con RoHS

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	P
Corriente Máxima Continua de Drenaje	9,7 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	60 V
Tipo de Encapsulado	DPAK (TO-252)
Serie	SIPMOS
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	400 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	2V
Tensión de umbral de puerta mínima	1V
Disipación de Potencia Máxima	42 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs	14 nC a 10 V
Longitud	6.73mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Material del transistor	Si
Número de Elementos por Chip	1
Ancho	6.22mm
Altura	2.41mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C

Código RS:: 165-5947
Nº ref. fabric.:: SPD09P06PLGBTMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon SPD09P06PLGBTMA1, VDSS 60 V, ID 9,7 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

MOSFET de canal P Infineon SIPMOS®

Especificaciones

MOSFET de canal P Infineon SIPMOS®

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