MOSFET, Tipo P-Canal Infineon SPD09P06PLGBTMA1, VDSS 60 V, ID 9.7 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
826-9074
Nº ref. fabric.:
SPD09P06PLGBTMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

9.7A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

TO-252

Serie

SIPMOS

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

400mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

14nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

-1.1V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

42W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

6.73mm

Anchura

6.22 mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

2.41mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

Estado RoHS: No aplica

MOSFET de canal P Infineon SIPMOS®


Los MOSFET pequeños de canal P de señales Infineon SIPMOS® tienen varias características como modo de mejora, corriente de consumo continua, algunos tan baja como -80 A, y un amplio rango de temperaturas de funcionamiento. El transistor de potencia SIPMOS se puede usar en muchas aplicaciones, como telecomunicaciones, eMobility, ordenadores portátiles, dispositivos dc/dc e industria del automóvil.

· Certificación AEC Q101 (consulte la hoja de datos)

· chapado de plomo sin plomo, conforme con RoHS

Transistores MOSFET, Infineon


Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

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