MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS -150 V, ID -13 A, TO-252

Código RS:: 257-9412
Nº ref. fabric.:: IRFR6215TRPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS -150 V, ID -13 A, TO-252

Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 bobina de 2000 unidades)*

1.040,00 €

(exc. IVA)

1.260,00 €

(inc.IVA)

Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €

Disponible

Disponible(s) 2000 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución

¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"

Unidad(es)	Por unidad	Por Bobina*
2000 - 2000	0,52 €	1.040,00 €
4000 +	0,494 €	988,00 €

*precio indicativo

Código RS:: 257-9412
Nº ref. fabric.:: IRFR6215TRPBF
Fabricante:: Infineon

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	-13A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	-150V
	Encapsulado	TO-252
	Serie	HEXFET
	Tipo de montaje	Superficie
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	580mΩ
	Disipación de potencia máxima Pd	110W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	44nC
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Certificaciones y estándares	RoHS
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Infineon
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld -13A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds -150V
	Encapsulado TO-252
	Serie HEXFET
	Tipo de montaje Superficie
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 580mΩ
	Disipación de potencia máxima Pd 110W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 44nC
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Certificaciones y estándares RoHS
	Estándar de automoción No

Datasheet - IRFR6215TRPBF

La serie IRFR de Infineon es un mosfet de infrarrojos de un canal P de -150 V en un encapsulado D Pak. La familia IR mosfet de mosfets de potencia utiliza procesos de silicio probados que ofrecen a los diseñadores una amplia gama de dispositivos para admitir diversas aplicaciones como motores dc, inversores, SMPS, iluminación, interruptores de carga, así como aplicaciones alimentadas por batería. Los dispositivos están disponibles en una variedad de encapsulados de montaje en superficie y de orificio pasante con huellas estándar del sector para facilitar el diseño.

Estructura de celda planar para SOA amplio

Optimizado para la mayor disponibilidad de los socios de distribución

Calificación del producto conforme al estándar JEDEC

Silicio optimizado para aplicaciones de conmutación por debajo de 100 kHz

Encapsulado de montaje en superficie estándar del sector

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS -150 V, ID -13 A, TO-252

Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €

Enlaces relacionados