MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRFR4615TRLPBF, VDSS 150 V, ID 33 A, TO-252
- Código RS:
- 257-5867
- Nº ref. fabric.:
- IRFR4615TRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,38 € | 6,90 € |
| 50 - 120 | 1,24 € | 6,20 € |
| 125 - 245 | 1,162 € | 5,81 € |
| 250 - 495 | 1,078 € | 5,39 € |
| 500 + | 0,692 € | 3,46 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 257-5867
- Nº ref. fabric.:
- IRFR4615TRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 33A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 150V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Montaje en PCB | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 34mΩ | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 144W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 26nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 33A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 150V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Montaje en PCB | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 34mΩ | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 144W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 26nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
La serie Infineon IR MOSFET de MOSFET de potencia utiliza procesos de silicio probados que ofrecen a los diseñadores una amplia gama de dispositivos para admitir diversas aplicaciones, como motores de dc, inversores, SMPS, iluminación, interruptores de carga, así como aplicaciones alimentadas por batería. Los dispositivos están disponibles en una variedad de encapsulados de montaje en superficie y de orificio pasante con tamaños estándar del sector para facilitar el diseño.
Estructura de celda planar para SOA amplio
Optimizado para la mayor disponibilidad de los socios de distribución
Calificación del producto conforme al estándar JEDEC
Silicio optimizado para aplicaciones conmutadas a continuación <100 kHz
Encapsulado de montaje en superficie estándar del sector