MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 63 A, Mejora, TO-252

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Código RS:
257-9452
Nº ref. fabric.:
IRLR3110ZTRPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

63A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

HEXFET

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Orificio pasante

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

16mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.3V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

+175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

MOSFET de la serie HEXFET de Infineon, tensión de drenaje-fuente máxima de 100 V, corriente de drenaje continua máxima de 63 A - IRLR3110ZTRPBF


Este MOSFET es un transistor de potencia de orificio pasante diseñado para funciones de conmutación y gestión de potencia en circuitos que requieren un manejo de alta corriente y una resistencia a temperaturas elevadas. Funciona como un dispositivo de mejora de canal N clasificado para aplicaciones de media tensión y está diseñado para instalaciones en las que se prefiere un encapsulado TO‐252 y un montaje en PCB sencillo.

Características y ventajas:


• La Rds(on) de 16 mΩ reduce las pérdidas de conducción durante el flujo de corriente elevado
• 100 V Vds admite aplicaciones de conmutación de media tensión
• La corriente de drenaje continua de 63 A permite un funcionamiento prolongado con cargas elevadas
• El rango de temperatura de –55 a +175 °C permite el despliegue a altas temperaturas
• La tensión de puerta directa de 1,3 V permite un rendimiento eficiente de accionamiento de puerta

Aplicaciones


• Adecuado para etapas de conversión de potencia de DC en equipos industriales
• Ideal para la conmutación de accionamiento de motor en conjuntos compactos
• Se utiliza con fuentes de alimentación que requieren un alto rendimiento de corriente
• Puede utilizarse para la gestión de baterías en sistemas de alta carga
• Adecuado para pruebas de tensión térmica de accesorios y montajes

¿Qué tipo de encapsulado utiliza para el montaje en placa?


Se suministra en un encapsulado TO‐252 configurado para montaje en orificio pasante, lo que facilita la estabilidad mecánica y la disipación de calor.

¿Qué comportamiento de canal deben esperar los diseñadores?


Funciona como un transistor de canal N de modo de mejora, que requiere un accionamiento de puerta a fuente positivo para la conducción.

¿Cómo afecta la capacidad de temperatura a la implementación?


El dispositivo está especificado para funcionar en un rango de –55 a +175 °C, lo que permite su uso en entornos con variación térmica sustancial.

¿Es este componente adecuado para proyectos estándar de automoción?


La pieza no está designada conforme a los estándares de automoción y no debe suponerse que cumple esos criterios de calificación específicos.

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