MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 63 A, Mejora, TO-252
- Código RS:
- 257-9452
- Nº ref. fabric.:
- IRLR3110ZTRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Subtotal (1 bobina de 2000 unidades)*
1.206,00 €
(exc. IVA)
1.460,00 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 2000 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 2000 + | 0,603 € | 1.206,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 257-9452
- Nº ref. fabric.:
- IRLR3110ZTRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 63A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 16mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | +175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 63A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 16mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima +175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de la serie HEXFET de Infineon, tensión de drenaje-fuente máxima de 100 V, corriente de drenaje continua máxima de 63 A - IRLR3110ZTRPBF
Este MOSFET es un transistor de potencia de orificio pasante diseñado para funciones de conmutación y gestión de potencia en circuitos que requieren un manejo de alta corriente y una resistencia a temperaturas elevadas. Funciona como un dispositivo de mejora de canal N clasificado para aplicaciones de media tensión y está diseñado para instalaciones en las que se prefiere un encapsulado TO‐252 y un montaje en PCB sencillo.
Características y ventajas:
• La Rds(on) de 16 mΩ reduce las pérdidas de conducción durante el flujo de corriente elevado
• 100 V Vds admite aplicaciones de conmutación de media tensión
• La corriente de drenaje continua de 63 A permite un funcionamiento prolongado con cargas elevadas
• El rango de temperatura de –55 a +175 °C permite el despliegue a altas temperaturas
• La tensión de puerta directa de 1,3 V permite un rendimiento eficiente de accionamiento de puerta
• 100 V Vds admite aplicaciones de conmutación de media tensión
• La corriente de drenaje continua de 63 A permite un funcionamiento prolongado con cargas elevadas
• El rango de temperatura de –55 a +175 °C permite el despliegue a altas temperaturas
• La tensión de puerta directa de 1,3 V permite un rendimiento eficiente de accionamiento de puerta
Aplicaciones
• Adecuado para etapas de conversión de potencia de DC en equipos industriales
• Ideal para la conmutación de accionamiento de motor en conjuntos compactos
• Se utiliza con fuentes de alimentación que requieren un alto rendimiento de corriente
• Puede utilizarse para la gestión de baterías en sistemas de alta carga
• Adecuado para pruebas de tensión térmica de accesorios y montajes
• Ideal para la conmutación de accionamiento de motor en conjuntos compactos
• Se utiliza con fuentes de alimentación que requieren un alto rendimiento de corriente
• Puede utilizarse para la gestión de baterías en sistemas de alta carga
• Adecuado para pruebas de tensión térmica de accesorios y montajes
¿Qué tipo de encapsulado utiliza para el montaje en placa?
Se suministra en un encapsulado TO‐252 configurado para montaje en orificio pasante, lo que facilita la estabilidad mecánica y la disipación de calor.
¿Qué comportamiento de canal deben esperar los diseñadores?
Funciona como un transistor de canal N de modo de mejora, que requiere un accionamiento de puerta a fuente positivo para la conducción.
¿Cómo afecta la capacidad de temperatura a la implementación?
El dispositivo está especificado para funcionar en un rango de –55 a +175 °C, lo que permite su uso en entornos con variación térmica sustancial.
¿Es este componente adecuado para proyectos estándar de automoción?
La pieza no está designada conforme a los estándares de automoción y no debe suponerse que cumple esos criterios de calificación específicos.