MOSFET Infineon IRFR4510TRPBF, VDSS 100 V, ID 63 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 915-5011
Nº ref. fabric.:: IRFR4510TRPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IRFR4510TRPBF, VDSS 100 V, ID 63 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

20 Disponible para entrega en 3 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 10)

0,59 €

(exc. IVA)

0,71 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Pack*
10 +	0,59 €	5,90 €

*precio indicativo

Código RS:: 915-5011
Nº ref. fabric.:: IRFR4510TRPBF
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

MOSFET de potencia de canal N de 100 V, Infineon

La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	63 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	100 V
Tipo de Encapsulado	DPAK (TO-252)
Serie	HEXFET
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	13,9 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4V
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	143 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Número de Elementos por Chip	1
Longitud	6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	54 nC a 10 V
Material del transistor	Si
Ancho	7.49mm
Altura	2.39mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Tensión de diodo directa	1.3V