MOSFET Infineon IRLR3110ZTRLPBF, VDSS 100 V, ID 63 A, DPAK (TO-252) de 3 pines

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Código RS:
130-1020
Nº ref. fabric.:
IRLR3110ZTRLPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

63 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

100 V

Serie

HEXFET

Tipo de Encapsulado

DPAK (TO-252)

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

16 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

140 W

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-16 V, +16 V

Número de Elementos por Chip

1

Ancho

9.65mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Longitud

10.67mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

34 nC a 4,5 V

Altura

4.83mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.3V

MOSFET de potencia de canal N de 100 V, Infineon


La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.


Transistores MOSFET, Infineon


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