MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 6.5 A, P, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 258-3773
- Nº ref. fabric.:
- IPA60R380P6XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 tubo de 50 unidades)*
35,15 €
(exc. IVA)
42,55 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Disponible
- Disponible(s) 450 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 0,703 € | 35,15 € |
| 100 - 200 | 0,57 € | 28,50 € |
| 250 - 450 | 0,535 € | 26,75 € |
| 500 - 950 | 0,502 € | 25,10 € |
| 1000 + | 0,489 € | 24,45 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 258-3773
- Nº ref. fabric.:
- IPA60R380P6XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 6.5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Serie | IPA | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 380mΩ | |
| Modo de canal | P | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 19nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 31W | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 6.5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Serie IPA | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 380mΩ | ||
Modo de canal P | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 19nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 31W | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
Infineon CoolMOS es una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alta tensión, diseñada según el principio de superunión y pionera de Infineon Technologies. La serie CoolMOS P6 combina la experiencia del proveedor líder de MOSFET SJ con innovación de alta clase. Los dispositivos ofrecidos proporcionan todas las ventajas de un MOSFET SJ de conmutación rápida sin sacrificar la facilidad de uso. Las pérdidas de conmutación y conducción muy bajas hacen que la aplicación de conmutación sea más eficiente, más compacta, más ligera y más fría.
V superior
Buena resistencia del diodo del cuerpo
R g integrado optimizado
dv/dt mejorado desde 50 V/ns
Calidad CoolMOS con más de 12 años de experiencia de fabricación en tecnología de superunión
Alta robustez y mejor eficiencia
Calidad y fiabilidad excepcionales