MOSFET, Tipo P-Canal Infineon AUIRF4905STRL, VDSS -55 V, ID -42 A, TO-263
- Código RS:
- 260-5059
- Nº ref. fabric.:
- AUIRF4905STRL
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad |
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| 25 - 49 | 6,07 € |
| 50 - 99 | 5,68 € |
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*precio indicativo
- Código RS:
- 260-5059
- Nº ref. fabric.:
- AUIRF4905STRL
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | -42A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | -55V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 20mΩ | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 170W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 53nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | -1.3V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 10.67mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Altura | 15.88mm | |
| Anchura | 4.83 mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld -42A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds -55V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 20mΩ | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 170W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 53nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf -1.3V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 10.67mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Altura 15.88mm | ||
Anchura 4.83 mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET de potencia HEXFET de canal P de Infineon está diseñado específicamente para aplicaciones de automoción. Este MOSFET de potencia utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una baja resistencia de conexión por área de silicio.
Tecnología de proceso avanzada
Resistencia de encendido muy baja
Conmutación rápida
Avalanche repetitivo permitido hasta Tjmax