MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS -55 V, ID -42 A, TO-263
- Código RS:
- 260-5058
- Nº ref. fabric.:
- AUIRF4905STRL
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 260-5058
- Nº ref. fabric.:
- AUIRF4905STRL
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | -42A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | -55V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 20mΩ | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 170W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 53nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | -1.3V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 10.67mm | |
| Altura | 15.88mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Anchura | 4.83mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld -42A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds -55V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 20mΩ | ||
Disipación de potencia máxima Pd 170W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 53nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf -1.3V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 10.67mm | ||
Altura 15.88mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Anchura 4.83mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET de potencia HEXFET de canal P de Infineon está diseñado específicamente para aplicaciones de automoción. Este MOSFET de potencia utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una baja resistencia de conexión por área de silicio.
Tecnología de proceso avanzada
Resistencia de encendido muy baja
Conmutación rápida
Avalanche repetitivo permitido hasta Tjmax