MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS -55 V, ID -42 A, TO-263

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Código RS:
260-5058
Nº ref. fabric.:
AUIRF4905STRL
Fabricante:
Infineon
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Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

-42A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

-55V

Encapsulado

TO-263

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Superficie

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

20mΩ

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

53nC

Tensión directa Vf

-1.3V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

170W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

15.88mm

Longitud

10.67mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

El MOSFET de potencia HEXFET de canal P de Infineon está diseñado específicamente para aplicaciones de automoción. Este MOSFET de potencia utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una baja resistencia de conexión por área de silicio.

Tecnología de proceso avanzada

Resistencia de encendido muy baja

Conmutación rápida

Avalanche repetitivo permitido hasta Tjmax

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