MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STB12NM50T4, VDSS 500 V, ID 12 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 188-8473
- Nº ref. fabric.:
- STB12NM50T4
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- 188-8473
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- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 12A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 500V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | STP12NM50 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 350mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 28nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -65°C | |
| Tensión directa Vf | 1.5V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 160W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 9.35 mm | |
| Altura | 4.37mm | |
| Longitud | 10.4mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 12A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 500V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie STP12NM50 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 350mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 28nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -65°C | ||
Tensión directa Vf 1.5V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 160W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 9.35 mm | ||
Altura 4.37mm | ||
Longitud 10.4mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
The MDmesh™ is a new revolutionary MOSFET technology that associates the Multiple Drain process with the Company’s PowerMESH™horizontal layout. The resulting product has an outstanding low on-resistance, impressively high dv/dt and excellent avalanche characteristics. The adoption of the Company’s proprietary strip technique yields overall dynamic performance.
High dv/dt and avalanche capabilities
Low input capacitance and gate charge
Tight process control and high manufacturing yields
Low gate input resistance
Applications
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