MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SiHB28N60EF-GE3, VDSS 600 V, ID 28 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
903-4504
Nº ref. fabric.:
SiHB28N60EF-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

28A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Encapsulado

TO-263

Serie

EF

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

123mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

80nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

250W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Altura

4.83mm

Longitud

10.67mm

Anchura

9.65 mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

MOSFET de canal N con diodo rápido, serie EF, Vishay Semiconductor


Menor tiempo de recuperación inversa, carga de recuperación inversa y corriente de recuperación inversa

Bajo factor de mérito (FOM)

Baja capacitancia de entrada (Ciss)

Mayor solidez por la baja carga de recuperación inversa

Carga de compuerta (Qg) ultrabaja

Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


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