MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SiHB28N60EF-GE3, VDSS 600 V, ID 28 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 903-4504
- Nº ref. fabric.:
- SiHB28N60EF-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Disponibilidad de stock no accesible
- Código RS:
- 903-4504
- Nº ref. fabric.:
- SiHB28N60EF-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 28A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Serie | EF | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 123mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 250W | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 80nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 4.83mm | |
| Longitud | 10.67mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 28A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Serie EF | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 123mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 250W | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 80nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 4.83mm | ||
Longitud 10.67mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET de canal N con diodo rápido, serie EF, Vishay Semiconductor
Menor tiempo de recuperación inversa, carga de recuperación inversa y corriente de recuperación inversa
Bajo factor de mérito (FOM)
Baja capacitancia de entrada (Ciss)
Mayor solidez por la baja carga de recuperación inversa
Carga de compuerta (Qg) ultrabaja
Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor
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