MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHB080N60E-GE3, VDSS 600 V, ID 35 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 268-8290
- Nº ref. fabric.:
- SIHB080N60E-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 paquete de 2 unidades)*
11,45 €
(exc. IVA)
13,854 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Está siendo descatalogado
- Últimas 1038 unidad(es) disponibles desde otro centro de distribución
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 5,725 € | 11,45 € |
| 10 - 18 | 5,16 € | 10,32 € |
| 20 - 98 | 5,06 € | 10,12 € |
| 100 - 498 | 4,23 € | 8,46 € |
| 500 + | 3,60 € | 7,20 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 268-8290
- Nº ref. fabric.:
- SIHB080N60E-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 35A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | SIHB | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.08Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 63nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±30 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 227W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 10.67mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 35A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie SIHB | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.08Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 63nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±30 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 227W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 10.67mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
El MOSFET de potencia Vishay con diodo de cuerpo rápido y tecnología de la serie E de 4a generación reduce las pérdidas de conmutación y conducción y se utiliza en aplicaciones como fuentes de alimentación de modo conmutado, fuentes de alimentación de servidor y soportes de alimentación de corrección de factor de potencia
Baja capacitancia efectiva
Energía nominal de avalancha
Baja cifra de mérito
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, TO-263 de 3 pines