MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHB080N60E-GE3, VDSS 600 V, ID 35 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Código RS:
268-8290
Nº ref. fabric.:
SIHB080N60E-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

35A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Serie

SIHB

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.08Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±30 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

63nC

Disipación de potencia máxima Pd

227W

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Longitud

10.67mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de potencia Vishay con diodo de cuerpo rápido y tecnología de la serie E de 4a generación reduce las pérdidas de conmutación y conducción y se utiliza en aplicaciones como fuentes de alimentación de modo conmutado, fuentes de alimentación de servidor y soportes de alimentación de corrección de factor de potencia

Baja capacitancia efectiva

Energía nominal de avalancha

Baja cifra de mérito

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