MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHB080N60E-GE3, VDSS 600 V, ID 35 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

Ver todo MOSFET
Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 tubo de 50 unidades)*

168,40 €

(exc. IVA)

203,75 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Últimas existencias de RS
  • Última(s) 1000 unidad(es) disponible(s) para enviar desde otro centro de distribución
Unidad(es)
Por unidad
Por Tubo*
50 - 503,368 €168,40 €
100 - 4502,759 €137,95 €
500 - 9502,351 €117,55 €
1000 +2,122 €106,10 €

*precio indicativo

Código RS:
268-8289
Nº ref. fabric.:
SIHB080N60E-GE3
Fabricante:
Vishay
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

35A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Encapsulado

TO-263

Serie

SIHB

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.08Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

63nC

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±30 V

Disipación de potencia máxima Pd

227W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

10.67mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de potencia Vishay con diodo de cuerpo rápido y tecnología de la serie E de 4a generación reduce las pérdidas de conmutación y conducción y se utiliza en aplicaciones como fuentes de alimentación de modo conmutado, fuentes de alimentación de servidor y soportes de alimentación de corrección de factor de potencia

Baja capacitancia efectiva

Energía nominal de avalancha

Baja cifra de mérito

Enlaces relacionados