MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 600 V, ID 41 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Código RS:
204-7243
Nº ref. fabric.:
SIHB068N60EF-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

41A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Serie

SiHB068N60EF

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

68mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

51nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.2V

Disipación de potencia máxima Pd

250W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

14.61mm

Altura

4.06mm

Anchura

9.65 mm

Estándar de automoción

No

El Vishay serie EF MOSFET de potencia con diodo de cuerpo rápido tiene una tecnología de la serie E de 4th generación. Ha reducido las pérdidas de conducción y conmutación.

Valor nominal de energía de avalancha (UIS)

Figura de mérito (FOM) Ron x Qg baja

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