MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 600 V, ID 25 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Código RS:
204-7245
Nº ref. fabric.:
SIHB125N60EF-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

25A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Encapsulado

TO-263

Serie

SiHB125N60EF

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

125mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Disipación de potencia máxima Pd

179W

Tensión directa Vf

1.2V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

31nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

9.65 mm

Longitud

14.61mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

4.06mm

Estándar de automoción

No

El Vishay serie EF MOSFET de potencia con diodo de cuerpo rápido tiene una tecnología de la serie E de 4th generación. Ha reducido las pérdidas de conducción y conmutación.

Valor nominal de energía de avalancha (UIS)

Figura de mérito (FOM) Ron x Qg baja

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