MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 600 V, ID 25 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 204-7245
- Nº ref. fabric.:
- SIHB125N60EF-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 204-7245
- Nº ref. fabric.:
- SIHB125N60EF-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 25A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | EF | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 125mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 179W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 31nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 9.65mm | |
| Longitud | 14.61mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Altura | 4.06mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 25A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie EF | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 125mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 179W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 31nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 9.65mm | ||
Longitud 14.61mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Altura 4.06mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de potencia serie EF de Vishay, tensión de fuente de drenaje de 600 V, corriente de drenaje continua de 25 A - SIHB125N60EF-GE3
Este MOSFET de potencia es un dispositivo semiconductor de canal N de alta tensión diseñado para funciones de conmutación y conversión de potencia en electrónica industrial. Está diseñado para uso en montaje superficial en conjuntos de alimentación donde se requiere un manejo de tensión robusto y una tolerancia de temperatura elevada, lo que admite aplicaciones que conmutan altas tensiones y corrientes sustanciales en sistemas de automatización y eléctricos.
Características y ventajas:
• El valor nominal de drenaje de 600 V permite una capacidad de conmutación de alta tensión • La corriente de drenaje continua de 25 A admite corrientes de carga sustanciales • La Rds(on) de 125 mΩ reduce las pérdidas de conducción bajo carga • La carga de puerta típica de 31 nC minimiza los requisitos de energía de accionamiento • La disipación de potencia de 179 W permite un manejo de potencia sostenido • La temperatura máxima de funcionamiento de 150 °C admite entornos de alta temperatura
Aplicaciones
• Apto para etapas de inversor de alta tensión en accionamientos industriales • Ideal para fuentes de alimentación que requieren alta tensión de ruptura • Se utiliza con controladores de motor que manejan decenas de amperios • Se puede utilizar para reemplazar relés en conmutación de estado sólido • Se utiliza para la conversión de potencia en equipos de automatización
¿Qué rango de tensión de puerta es seguro para conmutar el dispositivo?
El dispositivo acepta tensiones de puerta de hasta 30 V, lo que especifica el potencial máximo admisible de puerta a fuente para un funcionamiento fiable.
¿Cómo afecta la elección del encapsulado al rendimiento térmico?
El encapsulado TO-263 ofrece una gran almohadilla térmica y cables para la conducción de calor, lo que ayuda a la transferencia de calor al cobre de la PCB y a los disipadores para soportar la disipación de potencia nominal.
¿Cuáles son los límites medioambientales de funcionamiento?
El componente está especificado para funcionar hasta -55 °C y hasta 150 °C, lo que define los extremos ambientales y de unión permitidos para los márgenes de diseño.
¿Cuántos contactos están disponibles para consideraciones de diseño de PCB?
La pieza utiliza tres contactos, lo que determina el tamaño y las disposiciones de conexión para drenaje, fuente y puerta en la PCB.
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