MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHB085N60EF-GE3, VDSS 650 V, ID 34 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 268-8291
- Nº ref. fabric.:
- SIHB085N60EF-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Subtotal (1 tubo de 50 unidades)*
199,00 €
(exc. IVA)
241,00 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
- Disponible(s) 1000 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 3,98 € | 199,00 € |
| 100 - 450 | 3,255 € | 162,75 € |
| 500 - 950 | 2,77 € | 138,50 € |
| 1000 + | 2,698 € | 134,90 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 268-8291
- Nº ref. fabric.:
- SIHB085N60EF-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 34A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | SIHB | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.084Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 63nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 184W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 10.67mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 34A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie SIHB | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.084Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 63nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 184W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 10.67mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET serie SIHB de Vishay, tensión de fuente de drenaje máxima de 650 V, corriente de drenaje continua máxima de 34 A - SIHB085N60EF-GE3
Características y ventajas:
• Corriente de drenaje continua de 34 A para un funcionamiento de carga pesada
• La Rds(on) de 0,084 Ω minimiza las pérdidas de conducción en los circuitos
• La disipación de potencia de 184 W permite un manejo sostenido de la carga térmica
• Carga de puerta típica de 63 nC para optimizar el rendimiento de conmutación
• La tolerancia de puerta de 30 V admite tensiones de accionamiento de puerta estándar
Aplicaciones
• Ideal para etapas de inversor de accionamiento de motor industrial
• Se utiliza para interruptores frontales de corrección de factor de potencia
• Puede utilizarse para circuitos de controlador de contactor y relé de alta tensión
¿En qué intervalo de temperatura puede funcionar?
¿Cómo es adecuado el encapsulado para procesos de montaje?
¿Cuál es el límite de requisitos de accionamiento de puerta?
¿Sigue el componente alguna directiva ambiental?
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- MOSFET de potencia VDSS 650 V Mejora, TO-247AC de 3 pines
- MOSFET de potencia VDSS 650 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Reducción, TO-263 de 3 pines
- MOSFET de potencia VDSS 650 V TO-263 de 3 pines
