MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHB085N60EF-GE3, VDSS 650 V, ID 34 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Código RS:
268-8291
Nº ref. fabric.:
SIHB085N60EF-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

34A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Serie

SIHB

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.084Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

63nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±30 V

Disipación de potencia máxima Pd

184W

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Longitud

10.67mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
MOSFET de potencia de la serie EF de Vishay con diodo de cuerpo rápido y tecnología de la serie E de 4 generaciones. Tiene pérdidas de conmutación y conducción reducidas y se utiliza en aplicaciones como fuentes de alimentación de modo conmutado, fuentes de alimentación de servidor y corrección de factor de potencia

Baja capacitancia efectiva

Energía nominal de avalancha

Baja cifra de mérito

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