MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHG085N60EF-GE3, VDSS 650 V, ID 34 A, Mejora, TO-247AC de 3 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
268-8297
Nº ref. fabric.:
SIHG085N60EF-GE3
Fabricante:
Vishay
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Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

34A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

TO-247AC

Serie

SIHG

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.084Ω

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

184W

Tensión directa Vf

1.2V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

63nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

15.7mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de potencia de la serie EF de Vishay con diodo de cuerpo rápido que reduce las pérdidas de conmutación y conducción, y se utiliza en aplicaciones como fuentes de alimentación de modo conmutado, fuentes de alimentación de servidor y fuentes de alimentación de corrección de factor de potencia.

Baja capacitancia efectiva

Energía nominal de avalancha

Baja cifra de mérito

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