MOSFET, Canal N-Canal Vishay SIHG100N65E-GE3, VDSS 650 V, ID 30 A, Mejora, TO-247AC de 3 pines

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Código RS:
735-208
Nº ref. fabric.:
SIHG100N65E-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Canal N

Corriente continua máxima de drenaje ld

30A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Serie

E Series

Encapsulado

TO-247AC

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.1Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±30 V

Disipación de potencia máxima Pd

208W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

41nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

20.82mm

Altura

5.31mm

Certificaciones y estándares

RoHS Compliant

Anchura

15.87 mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
IL

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