MOSFET, Canal N-Canal Vishay SIHG100N65E-GE3, VDSS 650 V, ID 30 A, Mejora, TO-247AC de 3 pines
- Código RS:
- 735-208
- Nº ref. fabric.:
- SIHG100N65E-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- 735-208
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- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de canal | Canal N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 30A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | TO-247AC | |
| Serie | E Series | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.1Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 41nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 208W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 20.82mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS Compliant | |
| Altura | 5.31mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de canal Canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 30A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado TO-247AC | ||
Serie E Series | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.1Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 41nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 208W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 20.82mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS Compliant | ||
Altura 5.31mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- IL
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