MOSFET, Canal N-Canal Vishay SIHG026N65E-GE3, VDSS 650 V, ID 88 A, Mejora, TO-247AC de 3 pines

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Código RS:
735-279
Nº ref. fabric.:
SIHG026N65E-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Canal N

Corriente continua máxima de drenaje ld

88A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Serie

E Series

Encapsulado

TO-247AC

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.026Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±30 V

Disipación de potencia máxima Pd

179W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

157nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS Compliant

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
IL

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