MOSFET, N-Canal Vishay SIHG150N60E-GE3, VDSS 650 V, ID 22 A, Mejora, TO-247AC de 3 pines
- Código RS:
- 268-8299
- Nº ref. fabric.:
- SIHG150N60E-GE3
- Fabricante:
- Vishay
No disponible actualmente
Desconocemos si volveremos a disponer de este artículo. RS tiene previsto retirarlo próximamente de nuestra gama de productos.
- Código RS:
- 268-8299
- Nº ref. fabric.:
- SIHG150N60E-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 22A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | TO-247AC | |
| Serie | SIHG | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.158Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 36nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 179W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Longitud | 15.7mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 22A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado TO-247AC | ||
Serie SIHG | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.158Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 36nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 179W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Longitud 15.7mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET serie SIHG de Vishay, tensión de fuente de drenaje máxima de 650 V, corriente de drenaje continua máxima de 22 A - SIHG150N60E-GE3
Este MOSFET es un transistor de canal N de modo de mejora de alta tensión diseñado para conmutación de potencia en equipos electrónicos exigentes. Funciona en un rango de temperatura ampliado y se suministra en un encapsulado de orificio pasante adecuado para montaje robusto y ensamblajes de mantenimiento. La conformidad con RoHS admite su uso cuando se aplican requisitos de sustancias restringidas.
Características y ventajas:
• La clasificación de drenaje a fuente de 650 V permite la conmutación de alta tensión
• La corriente continua de 22 A admite una manipulación de carga sustancial
• La Rds(on) de 0,158 Ω reduce las pérdidas por conducción durante el funcionamiento
• La carga de puerta típica de 36 nC optimiza la dinámica de conmutación
• La disipación de potencia máxima de 179 W permite un uso de alta potencia
• La tolerancia de puerta de 30 V admite tensiones de controlador comunes
• La corriente continua de 22 A admite una manipulación de carga sustancial
• La Rds(on) de 0,158 Ω reduce las pérdidas por conducción durante el funcionamiento
• La carga de puerta típica de 36 nC optimiza la dinámica de conmutación
• La disipación de potencia máxima de 179 W permite un uso de alta potencia
• La tolerancia de puerta de 30 V admite tensiones de controlador comunes
Aplicaciones
• Apto para convertidores e inversores de alta tensión industriales
• Ideal para etapas de accionamiento de motor en sistemas de control
• Se utiliza con fuentes de alimentación y reguladores refrigerados por aire forzado
• Se puede utilizar para SAI y sistemas de conmutación de almacenamiento de energía
• Apto para prototipos de orificio pasante y montajes reparables
• Ideal para etapas de accionamiento de motor en sistemas de control
• Se utiliza con fuentes de alimentación y reguladores refrigerados por aire forzado
• Se puede utilizar para SAI y sistemas de conmutación de almacenamiento de energía
• Apto para prototipos de orificio pasante y montajes reparables
¿Qué tipo de encapsulado debo admitir al diseñar una placa?
Se suministra en un encapsulado de orificio pasante TO-247AC que requiere un tamaño de montaje compatible y proporciona disipación térmica para gestionar cargas térmicas.
¿Cómo afecta la temperatura a los límites de funcionamiento continuo?
El dispositivo está clasificado para funcionar de -55 °C hasta 150 °C, por lo que se deben aplicar estrategias de gestión térmica y reducción de temperatura a temperaturas de unión elevadas para mantener la fiabilidad.
¿Qué consideraciones de accionamiento de puerta se recomiendan para una conmutación eficiente?
Con una carga de puerta típica de 36 nC y un Vgs máximo de 30 V, elija un controlador capaz de proporcionar la carga necesaria rápidamente sin exceder el límite de tensión de puerta.
¿Qué comportamiento debe tener el diodo durante la conmutación síncrona?
El elemento de avance intrínseco presenta una tensión de avance de aproximadamente 1,2 V, lo que influye en las pérdidas de conducción cuando el diodo del cuerpo conduce durante eventos de recuperación inversa.
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-247AC de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-247AC de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-247AC de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-247AC de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-247AC de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-247AC de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-247AC de 3 pines
- MOSFET de potencia VDSS 650 V Mejora, TO-247AC de 3 pines