MOSFET, N-Canal Vishay SIHG150N60E-GE3, VDSS 650 V, ID 22 A, Mejora, TO-247AC de 3 pines
- Código RS:
- 268-8299
- Nº ref. fabric.:
- SIHG150N60E-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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*precio indicativo
- Código RS:
- 268-8299
- Nº ref. fabric.:
- SIHG150N60E-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 22A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | SIHG | |
| Encapsulado | TO-247AC | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.158Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 36nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 179W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 15.7mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 22A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie SIHG | ||
Encapsulado TO-247AC | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.158Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 36nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 179W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 15.7mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET serie SIHG de Vishay, tensión de drenaje-fuente de 650 V, corriente de drenaje continua de 22 A - SIHG150N60E-GE3
Este MOSFET de canal N está diseñado para conmutar y controlar la potencia de alta tensión en electrónica industrial y equipos de automatización. Funciona como un transistor de modo de mejora para usar en etapas de potencia discretas donde se requiere una alta tensión de bloqueo y una capacidad de corriente significativa. El dispositivo se suministra en un encapsulado TO-247AC de orificio pasante adecuado para montajes convencionales y disposiciones de disipación térmica.
Características y ventajas:
• El valor nominal de drenaje de 650 V permite aplicaciones de conmutación de alta tensión • La corriente continua de 22 A admite una manipulación de carga sustancial • La baja Rds(on) de 0,158 Ω reduce las pérdidas por conducción • La disipación de potencia de 179 W permite un rendimiento térmico robusto • Carga de puerta típica de 36 nC para un comportamiento de conmutación predecible • La tolerancia de puerta de 30 V admite tensiones de accionamiento comunes
Aplicaciones
• Apto para convertidores dc-dc de alta tensión en sistemas industriales • Ideal para fuentes de alimentación de modo conmutado en equipos de fabricación • Se utiliza para etapas de accionamiento de motor que requieren conmutación de alta tensión • Se puede utilizar para la conversión de potencia del lado de línea en racks de automatización • Se utiliza para el desarrollo y las pruebas de electrónica de potencia de laboratorio
¿En qué intervalo de temperatura puede funcionar?
El dispositivo funciona en un amplio rango ambiental de -55 °C hasta un límite de unión máximo de 150 °C para entornos térmicos exigentes.
¿Cómo se monta mejor para la gestión del calor?
El formato TO-247AC de orificio pasante permite la fijación directa a los disipadores térmicos mediante la pestaña del paquete y el hardware de montaje estándar para mejorar la transferencia térmica.
¿Qué consideraciones de accionamiento de puerta deben observarse?
La puerta debe accionarse dentro de los límites absolutos de ±30 V y las formas de onda de conmutación deben tener en cuenta la carga de puerta típica de 36 nC para gestionar las pérdidas de transición y el tamaño del controlador.
¿Qué configuración de contactos se proporciona?
Se trata de una disposición de transistor de tres contactos compatible con huellas de PCB de potencia comunes y procesos de montaje de orificio pasante.
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