MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHG150N60E-GE3, VDSS 650 V, ID 22 A, Mejora, TO-247AC de 3 pines

Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 paquete de 2 unidades)*

11,22 €

(exc. IVA)

13,58 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 500 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Paquete*
2 - 85,61 €11,22 €
10 - 985,04 €10,08 €
100 - 4984,135 €8,27 €
500 - 9983,52 €7,04 €
1000 +3,17 €6,34 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
268-8299
Nº ref. fabric.:
SIHG150N60E-GE3
Fabricante:
Vishay
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

22A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Serie

SIHG

Encapsulado

TO-247AC

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.158Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

36nC

Disipación de potencia máxima Pd

179W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±30 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Longitud

15.7mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de potencia de la serie E de Vishay tiene pérdidas de conmutación y conducción reducidas y se utiliza en aplicaciones como fuentes de alimentación de modo conmutado, fuentes de alimentación de servidor y fuentes de alimentación de corrección de factor de potencia.

Baja capacitancia efectiva

Energía nominal de avalancha

Baja cifra de mérito

Enlaces relacionados