MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHB085N60EF-GE3, VDSS 650 V, ID 34 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 268-8293
- Nº ref. fabric.:
- SIHB085N60EF-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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| 20 - 98 | 6,955 € | 13,91 € |
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- Código RS:
- 268-8293
- Nº ref. fabric.:
- SIHB085N60EF-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 34A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | SIHB | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.084Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 63nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 184W | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 10.67mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 34A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie SIHB | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.084Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 63nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 184W | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 10.67mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET serie SIHB de Vishay, tensión de fuente de drenaje máxima de 650 V, corriente de drenaje continua máxima de 34 A - SIHB085N60EF-GE3
Este MOSFET de canal N de alta tensión está diseñado para conmutación de potencia en sistemas industriales y electrónicos exigentes. Funciona como un transistor de modo de mejora adecuado para montaje en superficie en aplicaciones que requieren un manejo de tensión robusto y una tolerancia térmica elevada. El dispositivo admite niveles de accionamiento de puerta convencionales y está diseñado para usar donde se requiere conducción controlada y conmutación rápida.
Características y ventajas:
• Valor nominal de drenaje de 650 V para capacidad de conmutación de alta tensión
• Corriente de drenaje continua de 34 A para un funcionamiento de carga pesada
• La Rds(on) de 0,084 Ω minimiza las pérdidas de conducción en los circuitos
• La disipación de potencia de 184 W permite un manejo sostenido de la carga térmica
• Carga de puerta típica de 63 nC para optimizar el rendimiento de conmutación
• La tolerancia de puerta de 30 V admite tensiones de accionamiento de puerta estándar
• Corriente de drenaje continua de 34 A para un funcionamiento de carga pesada
• La Rds(on) de 0,084 Ω minimiza las pérdidas de conducción en los circuitos
• La disipación de potencia de 184 W permite un manejo sostenido de la carga térmica
• Carga de puerta típica de 63 nC para optimizar el rendimiento de conmutación
• La tolerancia de puerta de 30 V admite tensiones de accionamiento de puerta estándar
Aplicaciones
• Apto para conmutación de lado primario SMPS de alta tensión
• Ideal para etapas de inversor de accionamiento de motor industrial
• Se utiliza para interruptores frontales de corrección de factor de potencia
• Puede utilizarse para circuitos de controlador de contactor y relé de alta tensión
• Ideal para etapas de inversor de accionamiento de motor industrial
• Se utiliza para interruptores frontales de corrección de factor de potencia
• Puede utilizarse para circuitos de controlador de contactor y relé de alta tensión
¿En qué intervalo de temperatura puede funcionar?
Está clasificado para funcionar hasta -55 °C y hasta un máximo de 150 °C, lo que permite su uso en amplios entornos térmicos.
¿Cómo es adecuado el encapsulado para procesos de montaje?
El dispositivo se suministra en un encapsulado de montaje en superficie TO-263 con tres contactos, lo que facilita el montaje de soldadura automatizado y la gestión térmica en PCB de alimentación.
¿Cuál es el límite de requisitos de accionamiento de puerta?
La tensión máxima admisible de puerta a fuente es de 30 V, por lo que los circuitos de accionamiento de puerta deben diseñarse para permanecer dentro de este umbral.
¿Sigue el componente alguna directiva ambiental?
Cumple los requisitos RoHS, lo que indica la ausencia de determinadas sustancias restringidas en su estructura.
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