MOSFET, N-Canal Vishay SIHB085N60EF-GE3, VDSS 650 V, ID 34 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 268-8293
- Nº ref. fabric.:
- SIHB085N60EF-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 268-8293
- Nº ref. fabric.:
- SIHB085N60EF-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 34A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | SIHB | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.084Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 63nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 184W | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 10.67mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 34A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie SIHB | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.084Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 63nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 184W | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 10.67mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de la serie SIHB de Vishay, tensión de fuente de drenaje de 650 V, corriente de drenaje continua de 34 A - SIHB085N60EF-GE3
Este MOSFET es un dispositivo semiconductor de canal N de alta tensión diseñado para conmutación de potencia en aplicaciones de montaje en superficie. Funciona en un amplio rango de temperatura ambiente y es adecuado para circuitos que requieren una corriente de drenaje considerable y una capacidad de tensión de drenaje-fuente elevada. El componente se suministra en un encapsulado TO-263 para gestión térmica en etapas de potencia montadas en PCB.
Características y ventajas:
• La potencia nominal de drenaje-fuente de 650 V permite la conmutación de alta tensión
• La corriente de drenaje continua de 34 A admite la manipulación de cargas pesadas
• La Rds(on) de 0.084 Ω reduce las pérdidas de conducción durante el funcionamiento
• La carga total de puerta de 63 nC permite un diseño de accionamiento de puerta predecible
• La disipación de potencia de 184 W ayuda en diseños de alta densidad de potencia
• El límite Vgs de 30 V admite márgenes de tensión de puerta robustos
• La corriente de drenaje continua de 34 A admite la manipulación de cargas pesadas
• La Rds(on) de 0.084 Ω reduce las pérdidas de conducción durante el funcionamiento
• La carga total de puerta de 63 nC permite un diseño de accionamiento de puerta predecible
• La disipación de potencia de 184 W ayuda en diseños de alta densidad de potencia
• El límite Vgs de 30 V admite márgenes de tensión de puerta robustos
Aplicaciones
• Ideal para convertidores de potencia en fuentes de alimentación industriales
• Apto para etapas de conmutación de inversor de alta tensión
• Se utiliza para transistores de conmutación frontales de accionamiento por motor
• Puede utilizarse para la regulación de carril de alimentación de telecomunicaciones
• Recomendado para interruptores primarios de fuente de alimentación de modo conmutado
• Apto para etapas de conmutación de inversor de alta tensión
• Se utiliza para transistores de conmutación frontales de accionamiento por motor
• Puede utilizarse para la regulación de carril de alimentación de telecomunicaciones
• Recomendado para interruptores primarios de fuente de alimentación de modo conmutado
¿Qué ventajas del encapsulado ayudan al diseño térmico de PCB?
El formato de montaje en superficie TO-263 ofrece una gran almohadilla térmica y un área de lengüeta metálica para mejorar la transferencia de calor a la placa y las disposiciones de disipación térmica externa.
¿Cómo afecta la carga de puerta a la selección del circuito de accionamiento?
La carga de puerta de 63 nC determina la corriente de controlador necesaria y las pérdidas de conmutación
los controladores de puerta deben suministrar y absorber una corriente suficiente para las velocidades de transición deseadas para equilibrar la eficiencia y las interferencias electromagnéticas.
¿Qué rangos de temperatura puede soportar durante su funcionamiento?
El dispositivo está especificado para funcionar desde -55 °C hasta 150 °C en condiciones de unión o ambiente definidas por la refrigeración del sistema, lo que permite su uso en entornos térmicos hostiles.
¿Hay alguna restricción normativa de uso?
El componente cumple las directivas RoHS, lo que indica que cumple los requisitos de sustancias restringidas para conjuntos electrónicos.
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