MOSFET de potencia, N-Canal Vishay SIHB24N65E-GE3, VDSS 650 V, ID 24 A, TO-263 de 3 pines

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Código RS:
256-7413
Nº ref. fabric.:
SIHB24N65E-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Corriente continua máxima de drenaje ld

24A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

TO-263

Serie

E

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.145Ω

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

122nC

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30V

Disipación de potencia máxima Pd

250W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

+150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

MOSFET de potencia serie E de Vishay, tensión de fuente de drenaje de 650 V, corriente de drenaje continua de 24 A - SIHB24N65E-GE3


Este MOSFET de potencia es un dispositivo de conmutación de canal N de alta tensión diseñado para aplicaciones de conversión de potencia y control de montaje en superficie. Funciona en un amplio rango de temperaturas y está diseñado para usar donde se requiere un manejo de tensión elevada, una corriente continua considerable y un montaje en placa compacto.

Características y ventajas:


• Valor nominal de drenaje de 650 V que permite aplicaciones de conmutación de alta tensión
• Corriente de drenaje continua de 24 A para una manipulación de carga sustancial
• Rds(on) de 0,145 Ω reduce las pérdidas por conducción bajo carga
• Disipación máxima de 250 W para una capacidad térmica de alta potencia
• La caída hacia delante de Vf de 1,2 V minimiza las pérdidas por conducción del diodo
• La carga de puerta de 122 nC admite un rendimiento de conmutación predecible

Aplicaciones


• Apto para fuentes de alimentación y convertidores de alta tensión
• Ideal para etapas de conmutación de accionamiento de motor industrial
• Se utiliza con controladores LED que requieren un manejo de alta tensión
• Se puede utilizar para frontales de corrección de factor de potencia
• Adecuado para elementos de conmutación primarios de inversor y SAI

¿Qué límites de tensión de puerta deben observarse durante el diseño?


El dispositivo no debe accionarse más allá de una tensión máxima de puerta a fuente de 30 V para evitar la tensión de óxido de puerta.

¿Cómo afecta el entorno térmico a la capacidad de corriente continua?


La corriente de drenaje continua especificada supone una gestión térmica adecuada

sin disipación térmica suficiente o vías térmicas de PCB, la capacidad de corriente efectiva se reducirá antes de alcanzar el límite de disipación de 250 W.

¿Qué método de montaje es necesario para la integración en PCB?


Se suministra en un encapsulado TO-263 diseñado para montaje en superficie y debe soldarse a una disposición de almohadilla de placa que proporciona conducción térmica al plano de cobre.

¿Qué temperaturas ambiente extremas puede tolerar el dispositivo en funcionamiento?


El dispositivo está diseñado para funcionar de -55 °C a +150 °C, lo que permite su uso en entornos con gran variación de temperatura.

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