MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHB24N65E-GE3, VDSS 650 V, ID 24 A, TO-263

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Código RS:
256-7413
Nº ref. fabric.:
SIHB24N65E-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

24A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.033Ω

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

Los mosfet de potencia de la serie E de Vishay Semiconductor tienen una baja cifra de mérito (FOM) Ron x Qg y una baja capacitancia de entrada (Ciss).

Pérdidas de conmutación y conducción reducidas

Carga de puerta ultrabaja (Qg)

Energía de avalancha (UIS)

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