MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHB24N65E-GE3, VDSS 650 V, ID 24 A, TO-263

Ver todo MOSFET
Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 unidad)*

5,95 €

(exc. IVA)

7,20 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 979 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"

Unidad(es)
Por unidad
1 - 95,95 €
10 - 245,36 €
25 - 995,08 €
100 - 4994,48 €
500 +3,85 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
256-7413
Nº ref. fabric.:
SIHB24N65E-GE3
Fabricante:
Vishay
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

24A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.033Ω

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

Los mosfet de potencia de la serie E de Vishay Semiconductor tienen una baja cifra de mérito (FOM) Ron x Qg y una baja capacitancia de entrada (Ciss).

Pérdidas de conmutación y conducción reducidas

Carga de puerta ultrabaja (Qg)

Energía de avalancha (UIS)

Enlaces relacionados