MOSFET Vishay SIHB24N65E-GE3, VDSS 650 V, ID 24 A, TO-263
- Código RS:
- 256-7412
- Nº ref. fabric.:
- SIHB24N65E-GE3
- Fabricante:
- Vishay
1000 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).
Precio unitario (En un Tubo de 50)
3,666 €
(exc. IVA)
4,436 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 3,666 € | 183,30 € |
| 100 - 450 | 3,228 € | 161,40 € |
| 500 - 950 | 2,782 € | 139,10 € |
| 1000 + | 2,436 € | 121,80 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 256-7412
- Nº ref. fabric.:
- SIHB24N65E-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Los mosfet de potencia de la serie E de Vishay Semiconductor tienen una baja cifra de mérito (FOM) Ron x Qg y una baja capacitancia de entrada (Ciss).
Pérdidas de conmutación y conducción reducidas
Carga de puerta ultrabaja (Qg)
Energía de avalancha (UIS)
Carga de puerta ultrabaja (Qg)
Energía de avalancha (UIS)
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 24 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 650 V |
| Tipo de Encapsulado | TO-263 |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
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