MOSFET de potencia, N-Canal Vishay SIHB24N65E-GE3, VDSS 650 V, ID 24 A, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 256-7412
- Nº ref. fabric.:
- SIHB24N65E-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 256-7412
- Nº ref. fabric.:
- SIHB24N65E-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 24A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | E | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.145Ω | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 122nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 250W | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | +150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 24A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie E | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.145Ω | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 122nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 250W | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima +150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de potencia serie E de Vishay, tensión de fuente de drenaje de 650 V, corriente de drenaje continua de 24 A - SIHB24N65E-GE3
Características y ventajas:
• Corriente de drenaje continua de 24 A para una manipulación de carga sustancial
• Rds(on) de 0,145 Ω reduce las pérdidas por conducción bajo carga
• Disipación máxima de 250 W para una capacidad térmica de alta potencia
• La caída hacia delante de Vf de 1,2 V minimiza las pérdidas por conducción del diodo
• La carga de puerta de 122 nC admite un rendimiento de conmutación predecible
Aplicaciones
• Ideal para etapas de conmutación de accionamiento de motor industrial
• Se utiliza con controladores LED que requieren un manejo de alta tensión
• Se puede utilizar para frontales de corrección de factor de potencia
• Adecuado para elementos de conmutación primarios de inversor y SAI
¿Qué límites de tensión de puerta deben observarse durante el diseño?
¿Cómo afecta el entorno térmico a la capacidad de corriente continua?
¿Qué método de montaje es necesario para la integración en PCB?
¿Qué temperaturas ambiente extremas puede tolerar el dispositivo en funcionamiento?
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