MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 650 V, ID 46 A, Reducción, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 239-8626
- Nº ref. fabric.:
- SIHB055N60EF-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 239-8626
- Nº ref. fabric.:
- SIHB055N60EF-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 46A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | EF | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.05Ω | |
| Modo de canal | Reducción | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 63nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 278W | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 125°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 46A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie EF | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.05Ω | ||
Modo de canal Reducción | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 63nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 278W | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 125°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
La serie EF de Vishay es un MOSFET de potencia con diodo de cuerpo rápido. Este MOSFET se utiliza para fuentes de alimentación de servidor y telecomunicaciones, soldaduras y controladores de motor.
Tecnología de la serie E de 4ª generación
Capacitancia efectiva baja
Pérdidas de conducción y conmutación bajas
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