MOSFET, N-Canal Vishay SIHB055N60EF-GE3, VDSS 650 V, ID 46 A, Reducción, TO-263 de 3 pines

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Código RS:
239-8626
Nº ref. fabric.:
SIHB055N60EF-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

46A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

TO-263

Serie

EF

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.05Ω

Modo de canal

Reducción

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30V

Disipación de potencia máxima Pd

278W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

63nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

125°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

AEC-Q101

La serie EF de Vishay es un MOSFET de potencia con diodo de cuerpo rápido. Este MOSFET se utiliza para fuentes de alimentación de servidor y telecomunicaciones, soldaduras y controladores de motor.

Tecnología de la serie E de 4ª generación

Capacitancia efectiva baja

Pérdidas de conducción y conmutación bajas

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