MOSFET, N-Canal Vishay SIHB135N65S-GE3, VDSS 650 V, ID 27 A, N, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 878-897
- Nº ref. fabric.:
- SIHB135N65S-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 878-897
- Nº ref. fabric.:
- SIHB135N65S-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 27A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | S | |
| Tipo de montaje | Montaje superficial | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.121Ω | |
| Modo de canal | N | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.4V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 51nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 255W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 27A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie S | ||
Tipo de montaje Montaje superficial | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.121Ω | ||
Modo de canal N | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.4V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 51nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 255W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
El MOSFET de potencia de Vishay ofrece un rendimiento excepcional para aplicaciones de bajo consumo. Diseñado específicamente para una gestión de potencia exigente, garantiza pérdidas mínimas durante el funcionamiento, lo que mejora la fiabilidad y la eficiencia del sistema en general.
Utiliza la última tecnología de la serie SF para una eficiencia de vanguardia
Muestra una baja cifra de mérito, lo que reduce significativamente la disipación de potencia
Ofrece una capacitancia efectiva más baja para mejorar el rendimiento de conmutación
Energía de avalancha clasificada para resistir condiciones hostiles
La configuración única optimiza el espacio y simplifica el diseño
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