MOSFET, N-Canal Vishay SIHP135N65S-GE3, VDSS 650 V, ID 27 A, N, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 878-899
- Nº ref. fabric.:
- SIHP135N65S-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 unidad)*
2,60 €
(exc. IVA)
3,15 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 01 de febrero de 2027
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 1 - 9 | 2,60 € |
| 10 - 99 | 1,28 € |
| 100 - 499 | 1,16 € |
| 500 - 999 | 0,94 € |
| 1000 + | 0,86 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 878-899
- Nº ref. fabric.:
- SIHP135N65S-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 27A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Serie | S Series | |
| Tipo de montaje | Montaje superficial | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.121Ω | |
| Modo de canal | N | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 255W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 51nC | |
| Tensión directa Vf | 1.4V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 27A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Serie S Series | ||
Tipo de montaje Montaje superficial | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.121Ω | ||
Modo de canal N | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 255W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 51nC | ||
Tensión directa Vf 1.4V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
El MOSFET de potencia de Vishay está diseñado para un rendimiento óptimo en aplicaciones de fuente de alimentación de servidor y telecomunicaciones, lo que proporciona mayor eficiencia y fiabilidad en condiciones de funcionamiento exigentes.
Utiliza la última tecnología de la serie SF para mejorar la funcionalidad
Ofrece una baja cifra de mérito, lo que reduce la pérdida de potencia durante el funcionamiento
Clasificación de energía de avalancha, lo que garantiza una alta fiabilidad en condiciones transitorias
La estructura sin halógenos y sin plomo cumple las normas ambientales
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 650 V N, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, PG-TO-220 FullPAK de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V N, PowerPAK 10 x 12 de 8 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-247AC de 3 pines