MOSFET, N-Canal Vishay SIHF074N65E-GE3, VDSS 650 V, ID 14 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 279-9906
- Nº ref. fabric.:
- SIHF074N65E-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 279-9906
- Nº ref. fabric.:
- SIHF074N65E-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 14A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Serie | SIHF | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.079Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 39W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 8nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 10.1mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 14A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Serie SIHF | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.079Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 39W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 8nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 10.1mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET serie SIHF de Vishay, tensión de fuente de drenaje máxima de 650 V, corriente de drenaje continua máxima de 14 A - SIHF074N65E-GE3
Este MOSFET es un transistor de potencia de canal N de alta tensión diseñado para montaje en orificio pasante en entornos de gestión de potencia y conmutación. Funciona en un amplio rango de temperaturas y está diseñado para aplicaciones que requieren un manejo de tensión considerable y una capacidad de corriente moderada, al tiempo que cumple las restricciones RoHS.
Características y ventajas:
• El valor nominal de drenaje de 650 V permite capacidades de conmutación de alta tensión
• La corriente de drenaje continua de 14 A admite un suministro de potencia sostenido
• La Rds(on) de 0.079 Ω reduce las pérdidas de conducción durante el funcionamiento
• La disipación de potencia de 39 W permite un mayor rendimiento térmico
• La carga de puerta típica de 8 nC garantiza un comportamiento de conmutación sensible
• La tolerancia de la puerta de 30 V permite un amplio margen de tensión de accionamiento
• La corriente de drenaje continua de 14 A admite un suministro de potencia sostenido
• La Rds(on) de 0.079 Ω reduce las pérdidas de conducción durante el funcionamiento
• La disipación de potencia de 39 W permite un mayor rendimiento térmico
• La carga de puerta típica de 8 nC garantiza un comportamiento de conmutación sensible
• La tolerancia de la puerta de 30 V permite un amplio margen de tensión de accionamiento
Aplicaciones
• Apto para fuentes de alimentación de modo conmutado de alta tensión
• Ideal para etapas de inversor de accionamiento de motor industrial
• Se utiliza con topologías de convertidor dc-dc de alta tensión
• Puede utilizarse para la conversión de energía renovable
• Apto para circuitos frontales de corrección de factor de potencia
• Ideal para etapas de inversor de accionamiento de motor industrial
• Se utiliza con topologías de convertidor dc-dc de alta tensión
• Puede utilizarse para la conversión de energía renovable
• Apto para circuitos frontales de corrección de factor de potencia
¿Qué extremos térmicos puede tolerar este dispositivo en funcionamiento?
Está clasificado para funcionar de -55 °C a 150 °C, lo que permite su uso en entornos térmicos hostiles donde se requiere una amplia resistencia a temperaturas.
¿Qué método de montaje es necesario para la instalación?
El componente utiliza un encapsulado TO-220 de orificio pasante diseñado para montaje en PCB con una opción de disipación térmica estándar para mejorar la gestión térmica.
¿Cómo afecta la característica de puerta al diseño de conmutación?
Una carga de puerta típica de 8 nC en el nivel de accionamiento de puerta especificado informa la selección de accionamiento de puerta para equilibrar la velocidad de conmutación con el consumo de potencia de accionamiento.
¿Hay limitaciones en la tensión de accionamiento de puerta para evitar daños?
El dispositivo acepta tensiones de puerta a fuente de hasta 30 V, por lo que los diseños deben garantizar que los circuitos de accionamiento no superen este umbral.
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