MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHF074N65E-GE3, VDSS 650 V, ID 14 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 279-9906
- Nº ref. fabric.:
- SIHF074N65E-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 4,997 € | 249,85 € |
| 100 + | 4,442 € | 222,10 € |
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- Código RS:
- 279-9906
- Nº ref. fabric.:
- SIHF074N65E-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 14A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | SIHF | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.079Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±30 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 39W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 8nC | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 10.1mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 14A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie SIHF | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.079Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±30 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 39W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 8nC | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 10.1mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de Vishay es de potencia de la serie E, y el transistor que contiene está fabricado de un material conocido como silicio.
Tecnología de la serie E de 4.ª generación
Bajo factor de mérito (FOM), Ron x Qg
Capacitancia efectiva baja
Calificación energética de avalancha
Reducción de pérdidas de conmutación y conducción
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