MOSFET, N-Canal Vishay SIHP125N60EF-GE3, VDSS 650 V, ID 25 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Código RS:
200-6816
Nº ref. fabric.:
SIHP125N60EF-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

25A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

TO-220

Serie

EF

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

125mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

179W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

47nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El Vishay SIHP125N60EF-GE3 es un MOSFET de potencia de la serie EF con diodo de cuerpo rápido.

Tecnología de la serie E de 4th generación

Figura de mérito baja

Baja capacitancia efectiva

Menores pérdidas por conmutación y conducción

Valor nominal de energía de avalancha (UIS)

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