MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHP125N60EF-GE3, VDSS 650 V, ID 25 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 200-6816
- Nº ref. fabric.:
- SIHP125N60EF-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 3,782 € | 189,10 € |
| 100 - 200 | 3,555 € | 177,75 € |
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*precio indicativo
- Código RS:
- 200-6816
- Nº ref. fabric.:
- SIHP125N60EF-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 25A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Serie | EF | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 125mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 179W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 47nC | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 25A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Serie EF | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 125mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 179W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 47nC | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El Vishay SIHP125N60EF-GE3 es un MOSFET de potencia de la serie EF con diodo de cuerpo rápido.
Tecnología de la serie E de 4th generación
Figura de mérito baja
Baja capacitancia efectiva
Menores pérdidas por conmutación y conducción
Valor nominal de energía de avalancha (UIS)
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