MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHP186N60EF-GE3, VDSS 650 V, ID 18 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 bobina de 50 unidades)*

113,70 €

(exc. IVA)

137,60 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Agotado temporalmente
  • 950 Envío desde el 27 de febrero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Bobina*
50 - 502,274 €113,70 €
100 - 2002,138 €106,90 €
250 +1,941 €97,05 €

*precio indicativo

Código RS:
200-6818
Nº ref. fabric.:
SIHP186N60EF-GE3
Fabricante:
Vishay
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

18A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

TO-220

Serie

EF

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

193mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

32nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

156W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

14.4mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

4.65 mm

Longitud

10.52mm

Estándar de automoción

No

El Vishay SIHP186N60EF-GE3 es un MOSFET de potencia de la serie EF con diodo de cuerpo rápido.

Tecnología de la serie E de 4th generación

Figura de mérito baja

Baja capacitancia efectiva

Menores pérdidas por conmutación y conducción

Valor nominal de energía de avalancha (UIS)

Enlaces relacionados