MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Vishay SIHP186N60EF-GE3, VDSS 650 V, ID 18 A, Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- Código RS:
- 200-6818
- Nº ref. fabric.:
- SIHP186N60EF-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Subtotal (1 bobina de 50 unidades)*
90,95 €
(exc. IVA)
110,05 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
- Disponible(s) 950 unidad(es) más para enviar a partir del 29 de junio de 2026
Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 1,819 € | 90,95 € |
| 100 - 200 | 1,71 € | 85,50 € |
| 250 + | 1,554 € | 77,70 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 200-6818
- Nº ref. fabric.:
- SIHP186N60EF-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 18A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | EF | |
| Encapsulado | JEDEC TO-220AB | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 193mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 156W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 32nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 14.4mm | |
| Anchura | 4.65mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Longitud | 10.52mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 18A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie EF | ||
Encapsulado JEDEC TO-220AB | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 193mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 156W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 32nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 14.4mm | ||
Anchura 4.65mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Longitud 10.52mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de potencia serie EF de Vishay, tensión de fuente de drenaje de 650 V, corriente de drenaje de 18 A - SIHP186N60EF-GE3
Características y ventajas:
• La corriente de drenaje continua de 18 A admite corrientes de carga sustanciales
• La RDS(on) de 193 mΩ reduce las pérdidas de conducción durante el funcionamiento
• La carga de puerta típica de 32 nC permite un rendimiento de conmutación predecible
• La disipación de potencia máxima de 156 W ayuda a elegir el diseño térmico
• La tolerancia de la puerta de 30 V permite rangos de tensión de accionamiento flexibles
Aplicaciones
• Ideal para fuentes de alimentación de modo conmutado que manejan tensiones de bus dc elevadas
• Se utiliza para etapas de potencia discretas en unidades de control de motor y automatización
• Se puede utilizar para conmutación de carga en módulos de distribución de potencia
¿Qué rango de temperaturas de funcionamiento puede soportar?
¿Cómo está previsto montar el dispositivo en el equipo?
¿Cuál es la característica de accionamiento de puerta esperada para el diseño de conmutación?
¿Qué consideraciones sobre el tamaño mecánico deben tenerse en cuenta?
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-220 de 3 pines
