MOSFET de potencia, N-Canal Vishay SiHP080N60E-GE3, VDSS 650 V, ID 35 A, Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- Código RS:
- 228-2875
- Nº ref. fabric.:
- SiHP080N60E-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 228-2875
- Nº ref. fabric.:
- SiHP080N60E-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 35A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | JEDEC TO-220AB | |
| Serie | E | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 80mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 227W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 42nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 35A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado JEDEC TO-220AB | ||
Serie E | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 80mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 227W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 42nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de potencia serie E de Vishay, tensión de fuente de drenaje de 650 V, corriente de drenaje continua de 35 A - SiHP080N60E-GE3
Este MOSFET de potencia es un transistor de conmutación de canal N de alta tensión diseñado para aplicaciones de potencia de orificio pasante en las que se requiere un rendimiento térmico y eléctrico robusto. Funciona en un amplio rango ambiente, admite tareas de conmutación con carga de puerta moderada y se monta en un encapsulado TO-220AB para un disipador térmico y un montaje sencillos en placas convencionales.
Características y ventajas:
• El valor nominal de drenaje de 650 V permite aplicaciones de conmutación de alta tensión
• La capacidad de corriente continua de 35 A admite corrientes de carga sustanciales
• La Rds(on) de 80 mΩ minimiza las pérdidas por conducción durante la transferencia de potencia
• La disipación máxima de 227 W permite un manejo de potencia sostenido
• La carga de puerta típica de 42 nC proporciona una energía de conmutación predecible
• La tolerancia de la puerta de ±30 V permite amplios márgenes de tensión de accionamiento
• La capacidad de corriente continua de 35 A admite corrientes de carga sustanciales
• La Rds(on) de 80 mΩ minimiza las pérdidas por conducción durante la transferencia de potencia
• La disipación máxima de 227 W permite un manejo de potencia sostenido
• La carga de puerta típica de 42 nC proporciona una energía de conmutación predecible
• La tolerancia de la puerta de ±30 V permite amplios márgenes de tensión de accionamiento
Aplicaciones
• Adecuado para circuitos SMPS y PFC derivados de la red eléctrica
• Ideal para etapas de inversor de accionamiento de motor industrial
• Se utiliza con convertidores dc-dc de alta tensión en telecomunicaciones
• Se puede utilizar para sistemas de iluminación de modo conmutado y balasto
• Se emplea en convertidores de almacenamiento de energía y carga de baterías
• Ideal para etapas de inversor de accionamiento de motor industrial
• Se utiliza con convertidores dc-dc de alta tensión en telecomunicaciones
• Se puede utilizar para sistemas de iluminación de modo conmutado y balasto
• Se emplea en convertidores de almacenamiento de energía y carga de baterías
¿Qué rango térmico puede tolerar el dispositivo en entornos hostiles?
Está diseñado para funcionar de –55 a 150 °C, lo que permite su funcionamiento en temperaturas industriales extremas.
¿Cómo se va a montar y refrigerar el dispositivo?
El formato de orificio pasante TO-220AB admite conexión directa con disipador térmico para una gestión térmica eficaz y diseños de alimentación montados en placa.
¿Qué límites de accionamiento de puerta deben observarse durante el diseño?
La tensión de fuente de puerta no debe superar ±30 V para evitar la tensión de óxido de puerta y garantizar una conmutación fiable.
¿Se adapta el componente a las tareas de conmutación de señales de baja tensión?
Su tensión directa de 1,2 V y su estructura centrada en la potencia lo hacen optimizado para la conversión de potencia de alta tensión en lugar de la conmutación de señal de baja tensión.
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