MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Vishay SiHP105N60EF-GE3, VDSS 650 V, ID 29 A, Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- Código RS:
- 200-6794
- Nº ref. fabric.:
- SiHP105N60EF-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 200-6794
- Nº ref. fabric.:
- SiHP105N60EF-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 29A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | JEDEC TO-220AB | |
| Serie | EF | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 88mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 208W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 53nC | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 10.52mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Altura | 14.4mm | |
| Anchura | 4.65mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 29A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado JEDEC TO-220AB | ||
Serie EF | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 88mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 208W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 53nC | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 10.52mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Altura 14.4mm | ||
Anchura 4.65mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de potencia serie EF de Vishay, tensión de fuente de drenaje de 650 V, corriente de drenaje continua de 29 A - SiHP105N60EF-GE3
Este MOSFET de potencia es un dispositivo de mejora de canal N de alta tensión diseñado para funciones de conmutación de potencia en sistemas industriales y electrónicos. Está diseñado para montaje en orificio pasante en aplicaciones que requieren una tensión de bloqueo sustancial, capacidad de corriente constante y margen térmico robusto, lo que ofrece una solución práctica para circuitos de alta tensión.
Características y ventajas:
• La clasificación de 650 V permite su uso en sistemas de conmutación de alta tensión
• La corriente de drenaje continua de 29 A admite corrientes de carga sustanciales
• La resistencia de encendido de 88 mΩ reduce las pérdidas por conducción
• La carga de puerta típica de 53 nC permite una energía de conmutación predecible
• La capacidad de disipación de potencia de 208 W mejora el manejo térmico
• La temperatura de funcionamiento máxima de 150 °C tolera uniones elevadas
• La corriente de drenaje continua de 29 A admite corrientes de carga sustanciales
• La resistencia de encendido de 88 mΩ reduce las pérdidas por conducción
• La carga de puerta típica de 53 nC permite una energía de conmutación predecible
• La capacidad de disipación de potencia de 208 W mejora el manejo térmico
• La temperatura de funcionamiento máxima de 150 °C tolera uniones elevadas
Aplicaciones
• Apto para fuentes de alimentación y convertidores de alta tensión
• Ideal para etapas de conmutación de accionamiento de motor industrial
• Se utiliza para amplificadores de potencia de audio que requieren un alto margen de Vds
• Se puede utilizar para interruptores de extremo frontal de inversor en maquinaria
• Se utiliza con controladores de puerta de nivel discreto en sistemas de automatización
• Ideal para etapas de conmutación de accionamiento de motor industrial
• Se utiliza para amplificadores de potencia de audio que requieren un alto margen de Vds
• Se puede utilizar para interruptores de extremo frontal de inversor en maquinaria
• Se utiliza con controladores de puerta de nivel discreto en sistemas de automatización
¿Qué límites de accionamiento de puerta deben observarse para un funcionamiento fiable?
El dispositivo tolera tensiones de fuente de puerta de hasta 30 V
mantenerse dentro de este límite para evitar degradar el aislamiento de la puerta y garantizar el comportamiento de conmutación esperado.
¿Cómo debe abordarse la gestión térmica en una disposición de orificio pasante?
Utilice un disipador térmico de valor nominal adecuado conectado a la pestaña del encapsulado TO-220AB y asegúrese de un flujo de aire suficiente para mantener las temperaturas de unión por debajo de los 150 °C máximos bajo la disipación esperada.
¿Qué compensaciones de conmutación surgen del valor de carga de puerta típico?
Una carga de puerta de 53 nC equilibra la velocidad de conmutación y la demanda de controlador
los controladores deben suministrar una corriente de pico suficiente para lograr los tiempos de subida y bajada deseados sin pérdidas de conmutación excesivas.
¿Se puede montar este componente en conjuntos antiguos que requieren componentes discretos?
Sí, su formato de orificio pasante y su configuración de tres contactos son compatibles con diseños de placa tradicionales y procesos de montaje manual.
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