MOSFET, Canal N-Canal Vishay SIHF110N65SF-GE3, VDSS 650 V, ID 12 A, Mejora, PG-TO-220 FullPAK de 3 pines
- Código RS:
- 735-256
- Nº ref. fabric.:
- SIHF110N65SF-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 unidad)*
4,21 €
(exc. IVA)
5,09 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 11 de junio de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 1 - 9 | 4,21 € |
| 10 - 49 | 2,62 € |
| 50 - 99 | 2,02 € |
| 100 + | 1,37 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 735-256
- Nº ref. fabric.:
- SIHF110N65SF-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Canal N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 12A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | SF Series | |
| Encapsulado | PG-TO-220 FullPAK | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.115Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 83nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 39W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 4.8mm | |
| Longitud | 15.97mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS Compliant | |
| Anchura | 10.3 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 12A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie SF Series | ||
Encapsulado PG-TO-220 FullPAK | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.115Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 83nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 39W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 4.8mm | ||
Longitud 15.97mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS Compliant | ||
Anchura 10.3 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, PG-TO-220 FullPAK de 3 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, PG-TO-220 FullPAK de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-220 de 3 pines