MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 87 A, Mejora, PG-TO-220 FullPAK de 3 pines

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Código RS:
273-2996
Nº ref. fabric.:
IPA029N06NM5SXKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

87A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

OptiMOS 5

Encapsulado

PG-TO-220 FullPAK

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2.9mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

38W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

56nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia de Infineon en encapsulado TO-220 fullPAK presenta una mayor densidad de potencia, una eficiencia mejorada con un bajo RDS y costes del sistema más bajos. La cartera de encapsulados TO-220 FullPAK de MOSFET de potencia presenta una solución perfecta para rectificación síncrona.

Menos paralelismo necesario

Sobrecarga de baja tensión

Menos generación de calor

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