MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPT129N20NM6ATMA1, VDSS 200 V, ID 87 A, Mejora, PG-HSOF-8 de 8 pines
- Código RS:
- 349-132
- Nº ref. fabric.:
- IPT129N20NM6ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 349-132
- Nº ref. fabric.:
- IPT129N20NM6ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 87A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 200V | |
| Encapsulado | PG-HSOF-8 | |
| Serie | IPT | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 12.9mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 234W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 37nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | IEC61249-2-21, JEDEC, J-STD-020, RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 87A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 200V | ||
Encapsulado PG-HSOF-8 | ||
Serie IPT | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 12.9mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 234W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 37nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares IEC61249-2-21, JEDEC, J-STD-020, RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- MY
Este transistor de potencia OptiMOS 6 de 200 V de Infineon es un MOSFET de canal N, de nivel normal, diseñado para aplicaciones de potencia de alta eficiencia. Brinda una resistencia en estado encendido (RDS(on)) muy baja, lo que minimiza las pérdidas por conducción. El excelente producto de carga de puerta x RDS(on) (FOM) garantiza un rendimiento de conmutación superior, mientras que la bajísima carga de recuperación inversa (Qrr) contribuye a un funcionamiento eficiente. Con un alto índice de energía de avalancha, ofrece mayor robustez y es capaz de funcionar a 175 °C, lo que lo hace fiable incluso en entornos exigentes.
Revestimiento de plomo: sin Pb
Conforme a RoHS
Sin halógenos según IEC61249-2-21
Clasificación MSL 1 según J-STD-020
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