MOSFET, Canal N-Canal Vishay SIHB240N65E-GE3, VDSS 650 V, ID 16 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 unidad)*

3,77 €

(exc. IVA)

4,56 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Agotado temporalmente
  • Envío desde el 23 de octubre de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"

Unidad(es)
Por unidad
1 - 93,77 €
10 - 492,34 €
50 - 991,80 €
100 +1,60 €

*precio indicativo

Código RS:
735-205
Nº ref. fabric.:
SIHB240N65E-GE3
Fabricante:
Vishay
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Vishay

Tipo de canal

Canal N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

16A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

TO-263

Serie

E Series

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.24Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

147W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

19nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS Compliant

Longitud

10.67mm

Altura

4.83mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
IL

Enlaces relacionados