MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 650 V, ID 25 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 228-2841
- Nº ref. fabric.:
- SIHB120N60E-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Subtotal (1 bobina de 800 unidades)*
1.929,60 €
(exc. IVA)
2.335,20 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
- Envío desde el 08 de diciembre de 2026
Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 800 + | 2,412 € | 1.929,60 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 228-2841
- Nº ref. fabric.:
- SIHB120N60E-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 25A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | E | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 120mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 30nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 179W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 25A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie E | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 120mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 30nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 179W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de potencia serie E de Vishay, tensión de fuente de drenaje de 650 V, corriente de drenaje continua de 25 A - SIHB120N60E-T1-GE3
Características y ventajas:
• La corriente de drenaje continua de 25 A admite condiciones de carga sostenida
• La resistencia de encendido de 120 mΩ reduce las pérdidas de conducción bajo carga
• La disipación de potencia de 179 W permite un amplio espacio térmico
• La tolerancia de puerta de 30 V permite tensiones de accionamiento de puerta flexibles
• Carga de puerta típica de 30 nC para transiciones de conmutación
Aplicaciones
• Ideal para etapas de conmutación frontal de SMPS y fuente de alimentación
• Se utiliza para controladores de LED y control de lámpara que requieren un VDS alto
• Puede utilizarse para etapas de inversor en sistemas de energía renovable
• Apto para conmutación de alimentación de alta tensión de uso general en automatización
¿Qué temperaturas extremas puede tolerar este dispositivo durante el funcionamiento?
¿Cómo influye el encapsulado en el montaje y el rendimiento térmico?
¿Qué consideraciones sobre el accionamiento de la puerta deben observarse para una conmutación fiable?
¿Hay limitaciones en el uso de automoción?
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V TO-263
- MOSFET VDSS 650 V TO-263
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, PowerPAK de 4 pines
