MOSFET de potencia, N-Canal Vishay SIHB120N60E-T1-GE3, VDSS 650 V, ID 25 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 228-2841
- Nº ref. fabric.:
- SIHB120N60E-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 228-2841
- Nº ref. fabric.:
- SIHB120N60E-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 25A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | E | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 120mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 30nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 179W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 25A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie E | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 120mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 30nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 179W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de potencia serie E de Vishay, tensión de fuente de drenaje de 650 V, corriente de drenaje continua de 25 A - SIHB120N60E-T1-GE3
Este MOSFET de potencia es un dispositivo de canal N de alta tensión diseñado para tareas de conmutación y conversión de potencia en conjuntos de montaje en superficie. Funciona en un amplio rango de temperaturas y está diseñado para aplicaciones que requieren una tolerancia de tensión y un rendimiento térmico significativos al tiempo que cumple las directivas RoHS.
Características y ventajas:
• La resistencia de drenaje a fuente de 650 V permite la conmutación de alta tensión
• La corriente de drenaje continua de 25 A admite corrientes de carga sustanciales
• La Rds(on) de 120 mΩ reduce las pérdidas de conducción en las vías de potencia
• La disipación de potencia de 179 W permite un manejo sostenido de la carga térmica
• La tolerancia de puerta de 30 V permite márgenes de accionamiento de puerta robustos
• Carga de puerta típica de 30 nC para una energía de conmutación predecible
• La corriente de drenaje continua de 25 A admite corrientes de carga sustanciales
• La Rds(on) de 120 mΩ reduce las pérdidas de conducción en las vías de potencia
• La disipación de potencia de 179 W permite un manejo sostenido de la carga térmica
• La tolerancia de puerta de 30 V permite márgenes de accionamiento de puerta robustos
• Carga de puerta típica de 30 nC para una energía de conmutación predecible
Aplicaciones
• Apto para fuentes de alimentación y convertidores de alta tensión
• Ideal para etapas de conmutación de accionamiento de motor industriales
• Se utiliza para la conversión dc-dc en equipos de telecomunicaciones
• Puede utilizarse para circuitos de corrección de factor de potencia
• Adecuado para SAI y conmutación de gestión de baterías
• Ideal para etapas de conmutación de accionamiento de motor industriales
• Se utiliza para la conversión dc-dc en equipos de telecomunicaciones
• Puede utilizarse para circuitos de corrección de factor de potencia
• Adecuado para SAI y conmutación de gestión de baterías
¿Qué rango térmico puede tolerar este dispositivo durante el funcionamiento?
Está diseñado para funcionar a temperaturas de –55 a 150 °C, lo que permite su uso en entornos térmicos exigentes.
¿Cómo está encapsulado el dispositivo para el montaje en PCB?
Se suministra en un encapsulado de montaje en superficie TO-263 con tres terminales para un montaje en placa eficiente y disipación de calor.
¿Qué comportamiento de conmutación puedo esperar con respecto al accionamiento de puerta?
Con una tensión de fuente de puerta máxima de 30 V y una carga de puerta típica de 30 nC, los requisitos de accionamiento de puerta son moderados y previsibles para circuitos de accionamiento de puerta comunes.
¿Es esta pieza adecuada para aplicaciones específicas de automoción?
No está designado conforme a los estándares de automoción, por lo que no debe seleccionarse cuando se requiera certificación de automoción.
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