MOSFET Vishay SIHB120N60E-T1-GE3, VDSS 650 V, ID 25 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, 2elementos
- Código RS:
- 228-2841
- Nº ref. fabric.:
- SIHB120N60E-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Temporalmente fuera de stock. El producto se entregará cuando vuelva a estar disponible.
Precio unitario (Suministrado en Carretes de 800)
2,413 €
(exc. IVA)
2,92 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad | Por Carrete* |
|---|---|---|
| 800 + | 2,413 € | 1.930,40 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 228-2841
- Nº ref. fabric.:
- SIHB120N60E-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
El MOSFET de potencia de la serie E de Vishay reduce las pérdidas de conducción y conmutación.
Figura de mérito (FOM) Ron x Qg baja
Baja capacitancia efectiva (Co(er))
Baja capacitancia efectiva (Co(er))
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 25 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 650 V |
| Tipo de Encapsulado | D2PAK (TO-263) |
| Serie | E Series |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Conteo de Pines | 3 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 0,12 Ω |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 5V |
| Número de Elementos por Chip | 2 |
| Material del transistor | Si |
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