MOSFET, Canal N-Canal Vishay SIHB21N80AE-T1-GE3, VDSS 800 V, ID 17.4 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Código RS:
735-128
Nº ref. fabric.:
SIHB21N80AE-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Canal N

Corriente continua máxima de drenaje ld

17.4A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

800V

Serie

SIHB21N80AE

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.205Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

48nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

179W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30V

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Longitud

0.42mm

Anchura

0.355mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
IL
El MOSFET de potencia de Vishay está diseñado para un funcionamiento eficiente en fuentes de alimentación y otras aplicaciones, con el objetivo de reducir las pérdidas de energía y mejorar la fiabilidad.

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