MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 800 V, ID 17.4 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- Código RS:
- 188-4876
- Nº ref. fabric.:
- SIHG21N80AE-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 2,844 € | 71,10 € |
| 50 - 100 | 2,674 € | 66,85 € |
| 125 + | 2,417 € | 60,43 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 188-4876
- Nº ref. fabric.:
- SIHG21N80AE-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 17.4A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 800V | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Serie | SiHG21N80AE | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 235mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 48nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 32W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 15.87mm | |
| Altura | 20.82mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 17.4A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 800V | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Serie SiHG21N80AE | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 235mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 48nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 32W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 15.87mm | ||
Altura 20.82mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
E Serie Power MOSFET.
Figura de mérito (FOM) Ron x Qg baja
Capacitancia efectiva baja (Co(er))
Menores pérdidas por conmutación y conducción
APLICACIONES
Fuentes de alimentación de servidores y equipos de telecomunicaciones
Fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS)
Fuentes de alimentación con corrección de factor de potencia (PFC)
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