MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Vishay SIHG11N80AEF-GE3, VDSS 800 V, ID 8 A, Mejora, TO-247AC de 3 pines

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Código RS:
653-136
Nº ref. fabric.:
SIHG11N80AEF-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET sencillos

Corriente continua máxima de drenaje ld

8A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

800V

Encapsulado

TO-247AC

Serie

EF

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.483Ω

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

78W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±30 V

Tensión directa Vf

1.2V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

41nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

16.25mm

Anchura

20.70 mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia Vishay está diseñado para aplicaciones de conmutación de alta tensión. Dispone de un diodo de cuerpo rápido, una baja cifra de mérito (FOM) y una capacidad efectiva reducida para mejorar la eficiencia. Ideal para servidores, telecomunicaciones, SMPS y fuentes de alimentación de corrección de factor de potencia, se suministra en un encapsulado TO-247AC robusto.

Sin Pb

Sin halógenos

Cumplimiento de RoHS

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