MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 800 V, ID 8 A, Mejora, TO-247AC de 3 pines
- Código RS:
- 653-138
- Nº ref. fabric.:
- SIHG11N80AEF-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 tira de 1 unidad)*
2,58 €
(exc. IVA)
3,12 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Agotado temporalmente
- Disponible(s) 500 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Tira(s) | Por Tira |
|---|---|
| 1 - 9 | 2,58 € |
| 10 + | 2,51 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 653-138
- Nº ref. fabric.:
- SIHG11N80AEF-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 8A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 800V | |
| Encapsulado | TO-247AC | |
| Serie | EF | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.483Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 41nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 78W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Anchura | 20.7mm | |
| Longitud | 16.25mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 8A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 800V | ||
Encapsulado TO-247AC | ||
Serie EF | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.483Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 41nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 78W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Anchura 20.7mm | ||
Longitud 16.25mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de potencia serie EF de Vishay, tensión de fuente de drenaje de 800 V, disipación de potencia de 78 W - SIHG11N80AEF-GE3
Este MOSFET de potencia es un dispositivo de conmutación de canal N de alta tensión diseñado para tareas electrónicas de potencia en las que se requiere un manejo de tensión robusto y un montaje en orificio pasante. Funciona como un transistor de modo de mejora adecuado para aplicaciones que necesitan una alta ruptura de drenaje a fuente y disposiciones de accionamiento de puerta convencionales. El encapsulado admite montaje de cable y está diseñado para la integración de sistemas industriales y electrónicos.
Características y ventajas:
• El valor nominal de drenaje de 800 V permite aplicaciones de conmutación de alta tensión • La corriente de drenaje continua de 8 A admite un rendimiento de carga moderado • La Rds(on) de 0,483 Ω minimiza las pérdidas de conducción bajo carga • La carga de puerta 41 nC reduce la energía de conmutación y los requisitos de accionamiento • La disipación de potencia de 78 W permite una carga térmica sostenida • El accionamiento de puerta máximo de 30 V preserva la integridad del aislamiento de la puerta
Aplicaciones
• Apto para fuentes de alimentación y convertidores de alta tensión • Ideal para etapas de inversor de accionamiento de motor en controles industriales • Se utiliza para electrónica de potencia de modo conmutado y convertidores • Se puede utilizar para diseños de regulador de impulso y PFC de potencia media
¿En qué intervalo de temperatura puede funcionar con fiabilidad?
Está especificado para funcionar entre -55 °C y 150 °C, adaptándose a entornos de arranque en frío y temperatura elevada.
¿Cómo se monta el dispositivo en conjuntos típicos?
Se suministra en un encapsulado TO-247AC de orificio pasante con tres contactos para una fijación segura de la placa y un montaje con disipador de calor.
¿Qué limitaciones de accionamiento de puerta deben observar los diseñadores?
La tensión de puerta a fuente no debe superar 30 V para evitar dañar el dieléctrico de puerta.
¿Hay consideraciones de manipulación para la gestión térmica?
La cifra de disipación de 78 W requiere prácticas de disipación térmica e interfaz térmica adecuadas para mantener las temperaturas de unión dentro de los límites especificados.
Enlaces relacionados
- MOSFET de potencia VDSS 800 V Mejora, TO-247AC de 3 pines
- MOSFET de potencia VDSS 800 V Mejora, TO-247AC de 3 pines
- MOSFET de potencia VDSS 800 V Mejora, TO-247AC de 3 pines
- MOSFET de potencia VDSS 800 V Mejora, TO-247AC de 3 pines
- MOSFET de potencia VDSS 800 V TO-247AC de 3 pines
- MOSFET de potencia VDSS 500 V Mejora, TO-247AC de 3 pines
- MOSFET de potencia VDSS 650 V Mejora, TO-247AC de 3 pines
- MOSFET de potencia VDSS 650 V Reducción, TO-247AC de 3 pines