MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 800 V, ID 8 A, Mejora, TO-247AC de 3 pines
- Código RS:
- 653-138
- Nº ref. fabric.:
- SIHG11N80AEF-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 tira de 1 unidad)*
2,50 €
(exc. IVA)
3,02 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Disponible
- Disponible(s) 500 unidad(es) más para enviar a partir del 23 de febrero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Tira(s) | Por Tira |
|---|---|
| 1 - 9 | 2,50 € |
| 10 + | 2,42 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 653-138
- Nº ref. fabric.:
- SIHG11N80AEF-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 8A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 800V | |
| Serie | EF | |
| Encapsulado | TO-247AC | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.483Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 41nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 78W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±30 V | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 16.25mm | |
| Anchura | 20.70 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 8A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 800V | ||
Serie EF | ||
Encapsulado TO-247AC | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.483Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 41nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 78W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±30 V | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 16.25mm | ||
Anchura 20.70 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de potencia Vishay está diseñado para aplicaciones de conmutación de alta tensión. Dispone de un diodo de cuerpo rápido, una baja cifra de mérito (FOM) y una capacidad efectiva reducida para mejorar la eficiencia. Ideal para servidores, telecomunicaciones, SMPS y fuentes de alimentación de corrección de factor de potencia, se suministra en un encapsulado TO-247AC robusto.
Sin Pb
Sin halógenos
Cumplimiento de RoHS
Enlaces relacionados
- MOSFET sencillos VDSS 800 V Mejora, TO-247AC de 3 pines
- MOSFET sencillos VDSS 800 V Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- MOSFET sencillos VDSS 800 V Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-247AC de 3 pines
- MOSFET VDSS 500 V Mejora, TO-247AC de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-247AC de 3 pines
- MOSFET VDSS 400 V Mejora, TO-247AC de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-247AC de 3 pines