MOSFET de potencia, N-Canal Vishay SIHG17N80AE-GE3, VDSS 800 V, ID 15 A, Mejora, TO-247AC de 3 pines
- Código RS:
- 210-4985
- Nº ref. fabric.:
- SIHG17N80AE-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 tubo de 25 unidades)*
52,50 €
(exc. IVA)
63,50 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Últimas existencias de RS
- Última(s) 1475 unidad(es) disponible(s) para enviar desde otro centro de distribución
Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 2,10 € | 52,50 € |
| 50 - 100 | 1,974 € | 49,35 € |
| 125 + | 1,785 € | 44,63 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 210-4985
- Nº ref. fabric.:
- SIHG17N80AE-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 15A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 800V | |
| Encapsulado | TO-247AC | |
| Serie | E | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 250mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 179W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 41nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 4.83mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Anchura | 15.66mm | |
| Longitud | 35.3mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 15A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 800V | ||
Encapsulado TO-247AC | ||
Serie E | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 250mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 179W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 41nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 4.83mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Anchura 15.66mm | ||
Longitud 35.3mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de potencia serie E de Vishay, tensión de fuente de drenaje máxima de 800 V, corriente de drenaje continua máxima de 15 A - SIHG17N80AE-GE3
Este MOSFET de potencia es un transistor de conmutación de alta tensión diseñado para entornos exigentes de conversión de potencia. Funciona como dispositivo de canal N de modo de mejora y está diseñado para montaje en orificio pasante en aplicaciones que requieren un manejo robusto de alta tensión y una capacidad de corriente continua significativa. El componente cumple los requisitos RoHS y funciona en un amplio rango de temperatura ambiente.
Características y ventajas:
• El valor nominal de drenaje-fuente de 800 V permite el funcionamiento del sistema de alta tensión
• La corriente de drenaje continua de 15 A admite corrientes de carga sustanciales
• La RDS(on) de 250 mΩ reduce las pérdidas por conducción bajo carga
• La disipación de potencia máxima de 179 W permite una conmutación de alta potencia
• La carga de puerta típica de 41 nC facilita un comportamiento de conmutación predecible
• La tolerancia máxima de puerta-fuente de 30 V protege contra sobreaccionamiento de puerta
• La corriente de drenaje continua de 15 A admite corrientes de carga sustanciales
• La RDS(on) de 250 mΩ reduce las pérdidas por conducción bajo carga
• La disipación de potencia máxima de 179 W permite una conmutación de alta potencia
• La carga de puerta típica de 41 nC facilita un comportamiento de conmutación predecible
• La tolerancia máxima de puerta-fuente de 30 V protege contra sobreaccionamiento de puerta
Aplicaciones
• Apto para fuentes de alimentación y convertidores de alta tensión
• Ideal para diseños de electrónica de potencia de modo conmutado
• Se utiliza con topologías de convertidor de retorno y impulso
• Se puede utilizar para etapas de conmutación de accionamiento de motor industriales
• Apto para equipos de prueba y laboratorio de alta tensión
• Ideal para diseños de electrónica de potencia de modo conmutado
• Se utiliza con topologías de convertidor de retorno y impulso
• Se puede utilizar para etapas de conmutación de accionamiento de motor industriales
• Apto para equipos de prueba y laboratorio de alta tensión
¿Qué intervalo de temperatura puede tolerar durante el funcionamiento?
Está especificado para funcionar desde -55 °C hasta 150 °C, lo que permite su uso en entornos de arranque en frío y calor elevado.
¿Qué tipo de encapsulado y estilo de montaje utiliza?
El dispositivo se suministra en un encapsulado TO-247AC y está diseñado para montaje en PCB de orificio pasante para una conexión mecánica y térmica segura.
¿Cómo afecta la tensión directa a la conducción?
La tensión directa de 1,2 V indica la caída de tensión en estado activo en condiciones de conducción, lo que contribuye al diseño térmico y a los cálculos de pérdida de potencia.
¿Es adecuado para pruebas de calificación de automoción?
No está designado como estándar de automoción
la idoneidad para el uso en vehículos debe evaluarse frente a las especificaciones de automoción requeridas.
Enlaces relacionados
- MOSFET de potencia VDSS 800 V Mejora, TO-247AC de 3 pines
- MOSFET de potencia VDSS 800 V Mejora, TO-247AC de 3 pines
- MOSFET de potencia VDSS 800 V Mejora, TO-247AC de 3 pines
- MOSFET de potencia VDSS 800 V Mejora, TO-247AC de 3 pines
- MOSFET de potencia VDSS 800 V Mejora, TO-247AC de 3 pines
- MOSFET de potencia VDSS 800 V TO-247AC de 3 pines
- MOSFET de potencia VDSS 500 V Mejora, TO-247AC de 3 pines
- MOSFET de potencia VDSS 650 V Mejora, TO-247AC de 3 pines